[發明專利]納米突起表面形成方法及具有通過該方法形成的納米突起表面的母材

有效

• 申請號: 201780048666.6
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN109564867B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 李相老;金允煥;徐在亨;金技薰;李智英
• 申請（專利權）人: (株)SEP
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;G03F7/20;G03F1/80;H01L21/02;H01L21/3213
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

本發明涉及納米突起形成方法及具有通過該方法形成的納米突起表面的母材，其特征在于，在不使用納米掩模(mask)的情況下，通過使用酸溶液的濕式蝕刻工序來形成包括具有數nm～數十nm的寬度的納米突起的抗反射層和/或包括數十nm～數μm的寬度的突起的防眩光層。

技術領域

本發明涉及在母材(玻璃或具有玻璃特性的聚合物薄膜基板)上形成納米突起的方法，并且涉及不使用作為選擇性抗蝕刻單元的掩模(mask)而通過濕式蝕刻工序在母材表面上形成具有數nm～數十nm或數十nm～數μm的寬度的突起非掩模濕法納米圖案化方法及具有通過該方法形成的納米突起表面的母材。

背景技術

在半導體工序中，蝕刻工序可區分為濕式蝕刻和干式蝕刻。通常，濕式蝕刻通過具有腐蝕溶解性質的蝕刻溶液與作為待蝕刻對象的母材之間的化學反應來實現。濕式蝕刻為垂直方向、水平方向的蝕刻速度相同的各向同性蝕刻。干式蝕刻為利用氣體等離子體或通過活化氣體的反應的蝕刻工序。干式蝕刻為垂直方向及水平方向的蝕刻速度不同的各向異性蝕刻。

在現有的表面處理中，為了形成具有數nm～數十nm的寬度的圖案，需使用上述的干式蝕刻。然而，與濕式蝕刻相比，干式蝕刻的成本高，工序管理困難，而且大量生產也不容易。并且，由于工序特性，干式蝕刻難以適用于曲面玻璃及大面積玻璃。

與干式蝕刻相比，現有的濕式蝕刻的工序管理容易，更有利于大量生產，但通過濕式蝕刻形成的圖案具有平均3μm以上的寬度。

近年來，在包括如智能手機等的移動設備在內的各種顯示器領域中，光學玻璃及光學薄膜的抗反射處理的重要性漸增，用于體現抗反射的納米圖案化技術備受矚目，但需要技術要求高的高成本的納米掩模，并且因曲面或大面積處理困難而無法被實用化。

作為用于解決這些多個問題的方法，要求無需掩模并可通過非干式蝕刻的濕式蝕刻工序來實現具有數nm～數μm的寬度的圖案的技術。

發明內容

技術問題

所提出的發明所要解決的一技術問題在于，通過濕式蝕刻工序來形成具有數nm～數十nm或數十nm～數μm的寬度的納米突起。

所提出的發明所要解決的再一技術問題在于，通過濕式蝕刻工序來生產防眩光的玻璃或具有玻璃特性的聚合物薄膜。

所提出的發明所要解決的另一技術問題在于，通過濕式蝕刻工序來生產抗反射的玻璃或具有玻璃特性的聚合物薄膜。

所提出的發明所要解決的又一技術問題在于，通過濕式蝕刻工序來生產同時具有防眩光及抗反射的玻璃或具有玻璃特性的聚合物薄膜。

解決問題的手段

根據本發明的突起形成方法包括通過濕式蝕刻來在玻璃或具有玻璃特性的聚合物薄膜基板上形成突起的步驟。

在一方案中，上述形成突起的步驟包括通過利用酸溶液的濕式蝕刻來形成包括數十nm～數μm的寬度的突起的防眩光層的步驟。

在這種情況下，本發明的特征在于，上述酸溶液包含氟類的酸及硝酸。

并且，本發明的特征在于，上述酸溶液包含氟化氫及硝酸，還包含氟化銨、磷酸以及鹽酸中至少一種。

本發明的特征在于，上述酸溶液中的氟化氫的含量為10重量百分比以下。

本發明的特征在于，上述酸溶液中的硝酸的含量為其含量為10重量百分比以上且25重量百分比以下。

本發明的特征在于，當上述酸溶液中包含氟化銨時，其含量為5重量百分比以下。

本發明的特征在于，當上述酸溶液中包含磷酸時，其含量為5重量百分比以下。

本發明的特征在于，當上述酸溶液中包含鹽酸時，其含量為10重量百分比以下。