[發(fā)明專利]納米突起表面形成方法及具有通過該方法形成的納米突起表面的母材

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780048666.6
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN109564867B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李相老;金允煥;徐在亨;金技薰;李智英
• 申請（專利權(quán)）人: (株)SEP
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;G03F7/20;G03F1/80;H01L21/02;H01L21/3213
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

1.一種突起形成方法，在包括玻璃或聚合物薄膜基板在內(nèi)的母材的表面形成突起，該方法包括通過濕式蝕刻在上述母材的表面形成納米突起的步驟，但不包括在上述濕式蝕刻之前在母材的表面形成包括掩模在內(nèi)的選擇性抗蝕刻單元的預(yù)先步驟以及在上述濕式蝕刻之后去除上述包括掩模在內(nèi)的選擇性抗蝕刻單元的事后去除步驟，

上述形成突起的步驟包括通過利用酸溶液的濕式蝕刻來形成包括數(shù)十nm～數(shù)μm寬度的突起的防眩光層的步驟，

其特征在于，

上述酸溶液包含氟化氫、氟化銨、磷酸、硝酸、鹽酸以及水，

相對于100重量百分比的上述酸溶液的各成分的含量如下：

上述氟化氫為大于0重量百分比且10重量百分比以下，上述氟化銨為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述硝酸為10重量百分比以上至25重量百分比以下，

上述磷酸為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述鹽酸為大于0重量百分比且10重量百分比以下，其余為上述水。

2.一種突起形成方法，在包括玻璃或聚合物薄膜基板在內(nèi)的母材的表面形成突起，該方法包括通過濕式蝕刻在上述母材的表面形成納米突起的步驟，但不包括在上述濕式蝕刻之前在母材的表面形成包括掩模在內(nèi)的選擇性抗蝕刻單元的預(yù)先步驟以及在上述濕式蝕刻之后去除上述包括掩模在內(nèi)的選擇性抗蝕刻單元的事后去除步驟，

上述形成突起的步驟包括通過利用酸溶液的濕式蝕刻來形成包括數(shù)nm～數(shù)十nm寬度的突起的抗反射層的步驟，

其特征在于，

上述酸溶液包含氟化氫、氟化銨、磷酸、硝酸、鹽酸以及水，

相對于100重量百分比的上述酸溶液的各成分的含量如下：

上述氟化氫為大于0重量百分比且10重量百分比以下，上述氟化銨為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述硝酸為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述磷酸為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述鹽酸為10重量百分比以上至40重量百分比以下，其余為上述水。

3.一種突起形成方法，在包括玻璃或聚合物薄膜基板在內(nèi)的母材的表面形成突起，該方法包括通過濕式蝕刻在上述母材的表面形成納米突起的步驟，但不包括在上述濕式蝕刻之前在母材的表面形成包括掩模在內(nèi)的選擇性抗蝕刻單元的預(yù)先步驟以及在上述濕式蝕刻之后去除上述包括掩模在內(nèi)的選擇性抗蝕刻單元的事后去除步驟，

其特征在于，上述形成突起的步驟包括：

通過使用酸溶液的第一次濕式蝕刻來形成包括數(shù)十nm～數(shù)μm的寬度的突起的防眩光層的步驟；以及

通過使用酸溶液的第二次濕式蝕刻來在上述防眩光層上形成包括具有數(shù)nm～數(shù)十nm的寬度的突起的抗反射層的步驟，

形成防眩光層的步驟中使用的酸溶液包含氟化氫、氟化銨、磷酸、硝酸、鹽酸以及水，

相對于100重量百分比的上述酸溶液的各成分的含量如下：

上述氟化氫為大于0重量百分比且10重量百分比以下，上述氟化銨為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述硝酸為10重量百分比以上至25重量百分比以下，

上述磷酸為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述鹽酸為大于0重量百分比且10重量百分比以下，其余為上述水，

形成抗反射層的步驟中使用的酸溶液包含氟化氫、氟化銨、磷酸、硝酸、鹽酸以及水，

相對于100重量百分比的上述酸溶液的各成分的含量如下：

上述氟化氫為大于0重量百分比且10重量百分比以下，上述氟化銨為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述硝酸為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述磷酸為大于0重量百分比且5重量百分比以下，

上述鹽酸為10重量百分比以上至40重量百分比以下，其余為上述水。