[發(fā)明專利]密封用丙烯酸類組合物、片材、層疊片、固化物、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780048317.4
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN109563218A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山津繁;渡邊一輝;金川直樹;佐佐木大輔
• 申請（專利權(quán)）人: 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會(huì)社
• 主分類號: C08F290/06
• 分類號: C08F290/06;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 曹陽

密封用丙烯酸類組合物含有：丙烯酸類化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚樹脂、無機(jī)填充材料、和熱自由基聚合引發(fā)劑。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及密封用丙烯酸類組合物、片材、層疊片、固化物、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法，詳細(xì)而言涉及對于通過使用了片材的先供給方式的底部填充(underfilling)將基材與半導(dǎo)體芯片之間的間隙密封而言適合的密封用丙烯酸類組合物、片材、及層疊片、該密封用丙烯酸類組合物的固化物、具備包含該固化物的密封材料的半導(dǎo)體裝置、以及具備該密封材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

將倒裝芯片型的半導(dǎo)體芯片以倒裝的方式安裝在基材上的情況下，廣泛采用了底部填充技術(shù)。作為底部填充技術(shù)，有將半導(dǎo)體芯片安裝于基材后，在基材與半導(dǎo)體芯片之間的間隙填充樹脂組合物，由此將該間隙密封的方法。

隨著凸塊電極的窄間距化，作為底部填充技術(shù)，先供給方式引起了關(guān)注。在該先供給方式中，準(zhǔn)備例如具備導(dǎo)體布線的基材、具備凸塊電極的半導(dǎo)體芯片、和在常溫下為液態(tài)的熱固化性的密封用丙烯酸類組合物。在基材上配置密封用丙烯酸類組合物，在基材上的配置有密封用丙烯酸類組合物的位置配置半導(dǎo)體芯片，并且在導(dǎo)體布線上配置凸塊電極。在該狀態(tài)下，對密封用丙烯酸類組合物及凸塊電極進(jìn)行加熱，由此使密封用丙烯酸類組合物固化而形成密封材料，并且將凸塊電極和導(dǎo)體布線電連接(參照專利文獻(xiàn)1)。

這樣的先供給方式中，能夠同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片向基材的安裝、和半導(dǎo)體芯片與基材之間的間隙的密封。而且，即使凸塊電極間的間距狹窄，也不易在半導(dǎo)體芯片與基材之間的間隙發(fā)生密封材料的未填充。

另外，對于先供給方式的底部填充技術(shù)，已知不僅有直接使用在常溫下為液態(tài)的組合物的技術(shù)(稱為非導(dǎo)電性漿料工藝(Non-Conductive Paste Process)，也稱為NCPProcess)，還有使用使組合物干燥或半固化而得到的片材的技術(shù)(稱為非導(dǎo)電性膜工藝(Non-Conductive Film Process)，也稱為NCF Process)(參照專利文獻(xiàn)2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國際公開第2013/035871號

專利文獻(xiàn)2：日本特開2011-140617號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)方式的密封用丙烯酸類組合物含有：丙烯酸類化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚樹脂、無機(jī)填充材料、和熱自由基聚合引發(fā)劑。密封用丙烯酸類組合物優(yōu)選還含有氮氧化合物(二ト口キシド化合物)。取代基優(yōu)選具有碳-碳雙鍵。取代基優(yōu)選具有下述式(1)所示的結(jié)構(gòu)。

式(1)中，R為氫或烷基。

本發(fā)明的一個(gè)方式的片材為上述密封用丙烯酸類組合物的干燥物或半固化物。片材優(yōu)選具有200Pa·s以下的最低熔融粘度。

本發(fā)明的一個(gè)方式的層疊片具備：上述片材、和支撐上述片材的支撐片。

本發(fā)明的一個(gè)方式的固化物是使上述密封用丙烯酸類組合物或上述片材熱固化而得到的。固化物優(yōu)選具有170℃以上的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置具備：基材、以倒裝的方式安裝于基材的半導(dǎo)體芯片、和將基材與半導(dǎo)體芯片之間的間隙密封的密封材料，密封材料包含上述固化物。

本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下的步驟。在具備凸塊電極的半導(dǎo)體晶片的具有凸塊電極的面重疊上述片材。將半導(dǎo)體晶片連同片材一起切斷，由此制作具備從半導(dǎo)體晶片切出的半導(dǎo)體芯片、和從片材切出的單片的部件。在具備導(dǎo)體布線的基材的具有所述導(dǎo)體布線的面重疊單片，由此依次層疊基材、單片及半導(dǎo)體芯片。對單片進(jìn)行加熱，由此使單片熔融，然后使其固化來制作密封材料，并且將凸塊電極和導(dǎo)體布線電連接。