[發(fā)明專利]SiC加熱器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780047519.7 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN109565906B | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 長友大朗;內(nèi)川雄貴;村上嘉彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分類號： | H05B3/14 | 分類號： | H05B3/14;C03C3/06;C03C3/085;C03C3/087;C03C3/089;C03C3/091;C04B35/569;C04B41/86;H05B3/12;H05B3/20 |
| 代理公司： | 上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 楊楷;毛立群 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 加熱器 | ||
本發(fā)明提供一種SiC加熱器，其具備：發(fā)熱體，具有薄板狀碳化硅燒結(jié)體和形成于所述碳化硅燒結(jié)體的表面的絕緣被膜；一對電極，用于對所述發(fā)熱體進(jìn)行通電；及加熱器底座，阻斷來自所述發(fā)熱體的熱，并且從一表面?zhèn)缺３炙霭l(fā)熱體，所述絕緣被膜位于所述碳化硅燒結(jié)體的與所述加熱器底座相反的一側(cè)的表面，常溫下的電阻率為109Ω·cm以上，熱膨脹率為2×10?6/K以上且6×10?6/K以下，將SiO2設(shè)為基質(zhì)，含有1重量％以上且35重量％以下的包含B2O3及Al2O3中的至少一種的第1添加成分，含有1重量％以上且35重量％以下的包含MgO及CaO中的至少1種的第2添加成分。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種SiC加熱器。
本申請主張基于2016年8月2日于日本申請的日本專利申請2016-151911號的優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援用于此。
背景技術(shù)
近年來，以智能手機(jī)或移動電話、平板終端等為中心面向2.5D、3D安裝等高集成化的開發(fā)正在加速進(jìn)行。存儲器或應(yīng)用處理器等SoC(System-on-a-Chip：片上系統(tǒng))的安裝中，對多個(gè)設(shè)備統(tǒng)一連續(xù)進(jìn)行熱處理的基于回流的安裝是主流。然而，在基于回流的安裝中，在凸塊的微細(xì)化、窄間距化中存在限制，進(jìn)一步的高集成化變得困難。由此，被稱作熱壓接方法的安裝方式作為代替回流的代替技術(shù)受到關(guān)注，一部分正投入實(shí)際使用。
熱壓接方法是通過具備發(fā)熱體的加熱器一邊對每一個(gè)芯片施加荷重，一邊進(jìn)行加熱及冷卻并進(jìn)行安裝的方式。已知有作為實(shí)現(xiàn)熱壓接方法的加熱器的發(fā)熱體，使用由陶瓷構(gòu)成的發(fā)熱體，由此能夠抑制施加荷重時(shí)發(fā)熱體的變形，從而實(shí)現(xiàn)高精度的安裝。因此，預(yù)測今后基于在發(fā)熱體中使用了陶瓷的陶瓷加熱器的熱壓接方法將成為安裝的主流。
作為陶瓷加熱器，在專利文獻(xiàn)1中記載有在發(fā)熱體中使用了碳化硅的SiC加熱器。該SiC加熱器中，在由碳化硅構(gòu)成的發(fā)熱體的表面設(shè)置有由硼硅酸玻璃或鋁硅酸玻璃構(gòu)成的絕緣被膜。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：日本專利第3710690號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)課題
專利文獻(xiàn)1中記載的SiC加熱器若承受700℃以上的高溫?zé)釟v程，則有時(shí)絕緣被膜白濁化，從而絕緣特性顯著降低。通常，安裝時(shí)工件的加熱溫度為450℃左右，但期待一種對應(yīng)于預(yù)料之外的過度升溫，而能夠承受一定程度的高溫。
本發(fā)明是鑒于現(xiàn)有的碳化硅加熱器中的所述問題而完成的，其目的在于提供一種抑制了由過度升溫引起的絕緣性降低的SiC加熱器。
用于解決技術(shù)課題的手段
為了解決上述課題，本發(fā)明的一方式的SiC加熱器具備：發(fā)熱體，具有薄板狀碳化硅燒結(jié)體和形成于所述碳化硅燒結(jié)體的表面的絕緣被膜；一對電極，用于對所述發(fā)熱體進(jìn)行通電；及加熱器底座，阻斷來自所述發(fā)熱體的熱，并且從一表面?zhèn)缺３炙霭l(fā)熱體，所述絕緣被膜位于所述碳化硅燒結(jié)體的與所述加熱器底座相反的一側(cè)的表面，并由硼硅酸玻璃或鋁硅酸玻璃中的至少1種構(gòu)成，常溫下的電阻率為109Ω·cm以上，熱膨脹率為2×10-6/K以上且6×10-6/K以下，將SiO2設(shè)為基質(zhì)，含有1重量％以上且35重量％以下的包含B2O3及Al2O3中的任一方或雙方的第1添加成分，并含有1重量％以上且35重量％以下的包含MgO及CaO中的任一方或雙方的第2添加成分。
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