[發(fā)明專利]SiC加熱器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780047519.7 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN109565906B | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 長友大朗;內(nèi)川雄貴;村上嘉彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分類號： | H05B3/14 | 分類號： | H05B3/14;C03C3/06;C03C3/085;C03C3/087;C03C3/089;C03C3/091;C04B35/569;C04B41/86;H05B3/12;H05B3/20 |
| 代理公司： | 上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 楊楷;毛立群 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 加熱器 | ||
1.一種SiC加熱器，其具備：
發(fā)熱體，具有薄板狀碳化硅燒結(jié)體和形成于所述碳化硅燒結(jié)體的表面的絕緣被膜；
一對電極，用于對所述發(fā)熱體進行通電；及
加熱器底座，阻斷來自所述發(fā)熱體的熱，并且從一表面?zhèn)缺３炙霭l(fā)熱體，
所述絕緣被膜位于所述碳化硅燒結(jié)體的與所述加熱器底座相反的一側(cè)的表面，
所述絕緣被膜在常溫下的電阻率為109Ω·cm以上，
所述絕緣被膜的熱膨脹率為2×10-6/K以上且6×10-6/K以下，
所述絕緣被膜的膜厚設(shè)為10μm以上100μm以下，
所述絕緣被膜將SiO2設(shè)為基質(zhì)，
所述絕緣被膜含有包含B2O3及Al2O3中的至少一種的第1添加成分，
所述第1添加成分的比例相對于所述絕緣被膜的總重量為1重量％以上且35重量％以下，
所述絕緣被膜含有包含MgO及CaO中的至少1種的第2添加成分，
所述第2添加成分的比例相對于所述絕緣被膜的總重量為1重量％以上且35重量％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC加熱器，其中，
所述第2添加成分還包含BaO。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiC加熱器，其中，
所述第2添加成分包含BaO、MgO及CaO三者。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiC加熱器，其中，
所述第2添加成分的MgO及CaO的總含量相對于BaO的含量為1倍以上且2倍以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的SiC加熱器，其中，
所述發(fā)熱體的形狀為具有從俯視時大致正方形或大致長方形的彼此對置的兩邊分別向相反側(cè)的邊切入的兩條狹縫的俯視時大致S字形狀，所述大致S字形狀的兩端部分別連接有所述一對電極中的一個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的SiC加熱器，其中，
所述絕緣被膜由硼硅酸玻璃或鋁硅酸玻璃中的至少1種構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的SiC加熱器，其中，
所述第1添加成分的比例相對于所述絕緣被膜的總重量為1重量％以上且30重量％以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的SiC加熱器，其中，
所述碳化硅燒結(jié)體的燒結(jié)體密度為2.5g/cm3以上，25℃下的電阻率為0.1Ω·cm以上且100Ω·cm以下。
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