[發(fā)明專利]用于制備啶酰菌胺的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780047243.2
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN109563044A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 詹姆斯·蒂莫西·布里斯多
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇龍燈化學有限公司
• 主分類號: C07D213/82
• 分類號: C07D213/82;A01N43/40
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 鄭斌;陳九洲

1.一種制備無水啶酰菌胺的結(jié)晶變體II的方法，所述方法包含將固體啶酰菌胺起始材料加熱到升高的溫度，所述升高的溫度低于所述固體啶酰菌胺起始材料的熔點，并足以優(yōu)先形成無水啶酰菌胺的結(jié)晶變體II。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述啶酰菌胺起始材料包含無水啶酰菌胺的結(jié)晶變體I。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述啶酰菌胺起始材料基本由無水啶酰菌胺的結(jié)晶變體I組成。

4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述升高的溫度為至少35℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述升高的溫度為至少45℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述升高的溫度為至少50℃。

7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述升高的溫度低于110℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述升高的溫度低于100℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述升高的溫度低于85℃。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述升高的溫度為從45℃至100℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述升高的溫度為從60℃至80℃。

12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述啶酰菌胺起始材料以連續(xù)或逐步的方式被加熱。

13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中以5℃至35℃/h的速率加熱所述啶酰菌胺起始材料。

14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中將所述啶酰菌胺材料在該升高的溫度下保持一段時間。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中將所述啶酰菌胺材料在所述升高的溫度下保持1至25分鐘的時間。

16.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中在惰性氣氛下從所述升高的溫度冷卻所述啶酰菌胺材料。

17.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中以5℃至35℃/h的速率從所述升高的溫度冷卻所述啶酰菌胺材料。

18.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述方法以分批方式進行或以連續(xù)方式進行。

19.一種基本上如上所述的制備無水啶酰菌胺的結(jié)晶變體II的方法。

20.一種殺真菌組合物，其包含通過任一前述權(quán)利要求所述的方法制備的啶酰菌胺材料。