[發明專利]用于巴氏殺菌的交叉耦合區域以及使用同步的峰值電場和磁場的巴氏殺菌方法

在審

• 申請號: 201780046125.X
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN109475135A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 凱文·S·范
• 申請（專利權）人: 新奧瓦有限責任公司
• 主分類號: A23B7/005
• 分類號: A23B7/005;A23B9/04;A23L3/005;H05B6/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃愛嬌

1.一種用于在第一處理區域中處理第一物質和在第二處理區域中處理第二物質的系統，所述系統包括：

第一諧振電路，其包括耦合到第一電感元件的第一電容元件；

第二諧振電路，其包括耦合到第二電感元件的第二電容元件；

其中所述第一電感元件和所述第二電容元件定位在所述第一處理區域周圍；

其中所述第二電感元件和所述第一電容元件定位在所述第二處理區域周圍；

控制器，其耦合到所述第一諧振電路和所述第二諧振電路并且被配置成向所述第一諧振電路提供第一信號并且向所述第二諧振電路提供第二信號，其中所述第一信號和所述第二信號相移預定量；并且

其中所述控制器還被配置成控制所述第一信號有效地促進所述第一物質在所述第一處理區域中的巴氏殺菌，并且還被配置成控制所述第二信號有效地促進所述第二物質在所述第二處理區域中的巴氏殺菌。

2.根據權利要求1所述的系統，還包括第一導管，所述第一導管延伸穿過所述第一處理區域并且被配置成將所述第一物質提供給所述第一處理區域。

3.根據權利要求2所述的系統，其中所述第二電容元件圍繞所述第一導管的至少一部分布置，并且其中所述第一電感元件布置成圍繞所述第二電容元件且圍繞所述第一導管的至少所述一部分。

4.根據權利要求2所述的系統，其中所述第一導管包括具有中心軸線的內部部分和位于所述中心軸線周圍的外部部分，并且其中所述第二電容元件被配置為同軸電容器，其具有沿所述第一導管的所述中心軸線的至少一部分延伸的內導體和圍繞所述第一導管的至少所述外部部分布置的外導體。

5.根據權利要求2所述的系統，其中所述第二電容元件被配置為平行板電容器，所述平行板電容器包括布置在所述第一導管的至少一部分的一側上的第一板、以及基本上布置在所述第一導管的至少所述一部分的相對側處的第二板。

6.根據權利要求2所述的系統，其中所述第一導管的橫截面形狀是方形、圓形或橢圓形中的一種。

7.根據權利要求2所述的系統，其中所述第一導管的內部部分被配置成促進所述第一物質流動通過所述第一處理區域。

8.根據權利要求2所述的系統，還包括第二導管，所述第二導管延伸穿過所述第二處理區域并且被配置成將所述第二物質提供給所述第二處理區域。

9.根據權利要求8所述的系統，其中所述第二電容元件圍繞所述第二導管的至少一部分布置，并且其中所述第二電感元件布置成圍繞所述第一電容元件且圍繞所述第二導管的至少所述一部分。

10.根據權利要求8所述的系統，其中所述第二導管包括具有中心軸線的內部部分和位于所述中心軸線周圍的外部部分，并且其中所述第一電容元件被配置為同軸電容器，其具有沿所述第二導管的所述中心軸線的至少一部分延伸的內導體和圍繞所述第二導管的至少所述外部部分布置的外導體。

11.根據權利要求8所述的系統，其中所述第一電容元件被配置為平行板電容器，所述平行板電容器包括布置在所述第二導管的至少一部分的一側上的第一板、以及基本上布置在所述第二導管的至少所述一部分的相對側處的第二板。

12.根據權利要求8所述的系統，其中所述第二導管的橫截面形狀是方形、圓形或橢圓形中的一種。

13.根據權利要求8所述的系統，其中所述第二導管的所述內部部分被配置成促進所述第二物質流動通過所述第二處理區域。

14.根據權利要求1所述的系統，其中所述第一電感元件和所述第二電容元件圍繞所述第一處理區域定位，以使得響應于由所述控制器提供的第一信號和第二信號，由所述第一導電元件在所述第一處理區域中產生磁場，并且由所述第二電容元件在所述第一處理區域中產生電場。