[發明專利]半導體制造裝置用部件

有效

• 申請號: 201780044335.5
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN109476553B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 三矢耕平;丹下秀夫;堀田元樹;小川貴道
• 申請（專利權）人: 日本特殊陶業株式會社
• 主分類號: B32B5/16
• 分類號: B32B5/16;H01L21/683;C04B37/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

抑制稀土氫氧化物的飛散、第1陶瓷構件與第2陶瓷構件的接合強度的降低。半導體制造裝置用部件具備：第1陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；第2陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；和，接合層，其配置于前述第1陶瓷構件與前述第2陶瓷構件之間、且用于接合前述第1陶瓷構件和前述第2陶瓷構件，前述接合層包含化學式ABO₃(其中，A為稀土元素，B為Al)所示的鈣鈦礦型氧化物，且不含僅具有稀土元素和氧的稀土單一氧化物。

技術領域

本說明書中公開的技術涉及半導體制造裝置用部件。

背景技術

作為半導體制造裝置用部件，使用有基座(加熱裝置)。基座例如具備：內部具有加熱器的板狀的陶瓷制的保持構件；配置于保持構件的一面側的圓筒狀的陶瓷制的支撐構件；和，配置于保持構件與支撐構件之間、且用于接合彼此對置的保持構件的一個面與支撐構件的一個面的接合層。在保持構件的與上述一個面相反側的保持面配置有晶片。對于基座，利用通過對加熱器施加電壓而產生的熱，對配置于保持面的晶片進行加熱。已知的是，這樣的基座中，保持構件和支撐構件由以導熱率較高的AlN(氮化鋁)為主成分的材料形成，接合層由包含僅具有稀土元素和氧的稀土單一氧化物的材料形成(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平10-242252號公報

發明內容

發明要解決的問題

如果稀土單一氧化物與水分發生反應，則生成稀土氫氧化物。溫度越高，越容易生成該稀土氫氧化物。基座例如在使用前有時用化學試劑、水等進行清洗并在高溫下進行干燥。如此，使用上述包含稀土單一氧化物的接合層的基座中，接合層中所含的稀土單一氧化物與水分發生反應，生成稀土氫氧化物，該稀土氫氧化物有時在干燥后成為粉體而飛散、以異物的形式附著于晶片。另外，接合層內、稀土氫氧化物脫離了的部分成為空腔，從而保持構件與支撐構件的接合強度有時降低。

需要說明的是，這樣的課題不限定于構成基座的保持構件與支撐構件的接合，例如構成靜電卡盤等保持裝置的陶瓷構件彼此的接合中也為相同的課題。另外，這樣的課題不限定于保持裝置，例如構成噴頭等半導體制造裝置用部件的陶瓷構件彼此的接合中為相同的課題。

本說明書中，公開了能解決上述課題的技術。

用于解決問題的方案

本說明書中公開的技術例如可以以以下的方式實現。

(1)本說明書中公開的半導體制造裝置用部件具備：第1陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；第2陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；和，接合層，其配置于前述第1陶瓷構件與前述第2陶瓷構件之間、且用于接合前述第1陶瓷構件和前述第2陶瓷構件，其中，前述接合層包含化學式ABO₃(其中，A為稀土元素，B為Al)所示的鈣鈦礦型氧化物，且不含僅具有稀土元素和氧的稀土單一氧化物。根據本半導體制造裝置用部件，接合層包含化學式ABO₃(其中，A為稀土元素，B為Al(鋁))所示的鈣鈦礦型氧化物，且不含僅具有稀土元素和氧的稀土單一氧化物。該鈣鈦礦型氧化物與稀土單一氧化物相比，是難以與水分反應的穩定的物質，因此，可以抑制稀土氫氧化物的飛散、第1陶瓷構件與第2陶瓷構件的接合強度的降低。