[發明專利]半導體制造裝置用部件有效
| 申請號： | 201780044335.5 | 申請日： | 2017-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN109476553B | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 三矢耕平;丹下秀夫;堀田元樹;小川貴道 | 申請（專利權）人： | 日本特殊陶業株式會社 |
| 主分類號： | B32B5/16 | 分類號： | B32B5/16;H01L21/683;C04B37/00 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 制造 裝置 部件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體制造裝置用部件，其特征在于，其具備：
第1陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；
第2陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；和，
接合層，其配置于所述第1陶瓷構件與所述第2陶瓷構件之間、且用于接合所述第1陶瓷構件和所述第2陶瓷構件，
所述接合層包含化學式ABO3所示的鈣鈦礦型氧化物，且不含僅具有稀土元素和氧的稀土單一氧化物，化學式ABO3中，A為稀土元素，B為Al。
2.一種半導體制造裝置用部件，其特征在于，其具備：
第1陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；
第2陶瓷構件，其由以AlN為主成分的材料形成；和，
多個接合部，其配置于所述第1陶瓷構件與所述第2陶瓷構件之間、且用于接合所述第1陶瓷構件和所述第2陶瓷構件，
所述接合部包含化學式ABO3所示的鈣鈦礦型氧化物，且不含僅具有稀土元素和氧的稀土單一氧化物，化學式ABO3中，A為稀土元素，B為Al。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體制造裝置用部件，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物所具有的所述稀土元素包含Gd、Nd、Tb、Eu、Y中的至少1種。
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