[發(fā)明專利]功率半導體模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780044201.3
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN109478546B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設計）人: 高木佑輔;德山健;河野俊;志村隆弘;松下晃
• 申請（專利權）人: 日立安斯泰莫株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48;H01L23/50;H01L25/18
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

1.一種功率半導體模塊，其特征在于，具備：

第1半導體元件；

第2半導體元件，與所述第1半導體元件電性并聯(lián)；以及

控制用引線框，經(jīng)由第1接合線連接至所述第1半導體元件的控制電極，經(jīng)由第2接合線連接至所述第2半導體元件的控制電極；并且，

所述控制用引線框具有第1引線框部、彎曲部、以及經(jīng)由該彎曲部連接至所述第1引線框部的第2引線框部，

所述第1接合線的一端連接至所述第1半導體元件的所述控制電極，所述第1接合線的另一端連接至所述第1引線框部或所述彎曲部，

所述第2接合線的一端連接至所述第2半導體元件的所述控制電極，所述第2接合線的另一端連接至所述第2引線框部，

所述第1引線框部從所述彎曲部朝與所述第1半導體元件側相反那一側沿與所述第1半導體元件重疊的方向延伸，

所述第2引線框部從所述彎曲部朝所述第2半導體元件側沿與所述第2半導體元件重疊的方向延伸。

2.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述第1引線框部沿與所述第1半導體元件的所述控制電極重疊的方向延伸，

所述第2引線框部沿與所述第2半導體元件的所述控制電極重疊的方向延伸。

3.根據(jù)權利要求2所述的功率半導體模塊，其特征在于，

具有多個所述控制用引線框，并且，

所述第1半導體元件及所述第2半導體元件分別具有連接至所述各控制用引線框的多個所述控制電極，

連接所述各控制用引線框的所述第1引線框部或所述彎曲部與所述第1半導體元件的所述控制電極的多個所述第1接合線的長度、以及連接所述各控制用引線框的所述第2引線框部與所述第2半導體元件的所述控制電極的多個所述第2接合線的長度全部相同。

4.根據(jù)權利要求3所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述各控制用引線框的所述彎曲部的角度和所述第2引線框部的長度分別設定為：能使連接所述第1半導體元件的所述控制電極與第1引線框部或所述彎曲部的所述第1接合線的長度與連接所述第2半導體元件的所述控制電極與所述第2引線框部的所述第2接合線的長度相等。

5.根據(jù)權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述各控制用引線框的所述彎曲部的角度以所述第2引線框部沿與所述第2半導體元件的所述控制電極重疊的方向延伸的方式互不相同。