[發明專利]加熱接合用片材、及帶有切割帶的加熱接合用片材

有效

• 申請號: 201780043403.6
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN109478519B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 本田哲士;菅生悠樹;下田麻由
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;B22F3/02;H01L21/301
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

一種加熱接合用片材，其具有：通過加熱而成為燒結層的燒結前層、和密合層。

技術領域

本發明涉及加熱接合用片材和帶有切割帶的加熱接合用片材。

背景技術

在半導體裝置的制造中將半導體元件粘接在金屬引線框等被粘物上的方法(所謂芯片接合法)由以往的金-硅共晶轉變為利用焊料、樹脂糊劑的方法。目前，有時使用導電性的樹脂糊劑。

近些年，進行電力的控制、供給的功率半導體裝置的普及變得顯著。功率半導體裝置中時常流動電流，因此發熱量大。因此，可用于功率半導體裝置的導電性的粘接劑理想的是具有高的散熱性和低的電阻率。

功率半導體裝置要求以低損耗來高速工作。以往，功率半導體裝置使用IGBT(絕緣柵雙極晶體管：Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)、MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管：Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor)等使用了Si的半導體。近年來，開發了使用了SiC、GaN等半導體的裝置，預想今后會得以擴大使用。

使用了SiC、GaN的半導體具有帶隙大、介質擊穿電場高等特征，使低損耗、高速工作、高溫工作為可能。高溫工作對于熱環境嚴酷的汽車、小型電力轉換設備等是優點。熱環境嚴酷的用途的半導體裝置假定在250℃左右的高溫工作，現有的作為接合/粘接材料的焊料、導電性粘接劑的情況會出現熱特性、可靠性問題。

因此，以往，提出了由孔隙率為15～50體積％、包含銀和/或銅、碳成分為1.5質量％以下的多孔片材形成的芯片接合片材(例如，參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2015/060346號

發明內容

發明要解決的問題

但是，專利文獻1的芯片接合片材的碳成分為1.5質量％以下。因此，專利文獻1的芯片接合片材存在片材制作時的操作性低的問題。具體而言，專利文獻1中，制作含有大量金屬成分的糊劑狀組合物后，暫時涂布于玻璃板上并加熱至200℃制成固化膜，進而將其剝離而以芯片接合片材形式得到。

另外，專利文獻1的芯片接合片材的碳成分少，因此在燒結前的階段的密合性低。因此，具有在燒結前的階段與接合對象物之間難以暫時固定的問題。

另一方面，存在如下問題：若想要使加熱接合用片材中含有大量有機成分來提高片材制作時的操作性、燒結前的臨時粘接時的密合性，則燒結后的層會變脆。

本發明是鑒于前述問題而作成的，其目的在于，提供對接合對象物的燒結前的密合性高、并且可使燒結后的接合牢固的加熱接合用片材、及具有該加熱接合用片材的帶有切割帶的加熱接合用片材。

用于解決問題的方案

本申請發明人等為了解決前述現有的問題而對加熱接合用片材進行了研究。其結果發現，通過采用下述的構成，對接合對象物的燒結前的密合性高、并且能使燒結后的接合牢固，從而完成了本發明。

即，本發明的加熱接合用片材的特征在于，其具有：通過加熱而成為燒結層的燒結前層、和密合層。

根據前述構成，具有燒結前層和密合層。因此，將接合對象物(例如晶圓)貼附于密合層時，能夠將接合對象物牢固地固定于燒結前的加熱接合用片材。另外，由于具有密合層，因此可以不考慮關于燒結前層的與接合對象物的燒結前的密合性。其結果，燒結前層可以采用在燒結后成為牢固的燒結層的組成。綜上，根據本發明的加熱接合用片材，對接合對象物的燒結前的密合性高、并且可使燒結后的接合牢固。