[發(fā)明專利]用于掩蔽基板的掩模布置、用于處理基板的設(shè)備及其方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780041675.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109844164B | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬蒂亞斯·赫曼尼斯;托馬索·維爾切斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó);趙靜 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 掩蔽 布置 處理 設(shè)備 及其 方法 | ||
描述一種用于在處理腔室中進(jìn)行沉積期間掩蔽基板的掩模布置(100)。所述掩模布置(100)包括:掩模框架(110),用于保持掩模(115);和掩模載體(120),用于保持所述掩模框架(110),其中所述掩模框架(110)由順應(yīng)性支撐件(130)連接到所述掩模載體(120)。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容涉及對(duì)基板、特別地是薄平基板的處理。特別地,本文所述的實(shí)施方式涉及用于在沉積期間掩蔽基板的掩模布置、用于通過掩模在基板上沉積材料的沉積設(shè)備、以及用于保持掩模的方法。更特別地,本公開內(nèi)容的實(shí)施方式涉及在光電器件(例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED))的生產(chǎn)中使用的掩模布置、沉積設(shè)備和方法。
背景技術(shù)
已知用于在基板上沉積材料的數(shù)種方法。作為示例,可以通過使用蒸發(fā)工藝(諸如物理氣相沉積(PVD)工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝)、濺射工藝、噴涂工藝等來涂覆基板。可以在待涂覆的基板所在的沉積設(shè)備的處理腔室中執(zhí)行工藝。在處理腔室中提供沉積材料。多種材料(諸如小分子、金屬、氧化物、氮化物和碳化物)可以用于沉積在基板上。此外,可以在處理腔室中進(jìn)行其它工藝,像蝕刻、結(jié)構(gòu)化、退火或類似工藝。
可以在數(shù)個(gè)應(yīng)用和數(shù)個(gè)技術(shù)領(lǐng)域中使用被涂覆的基板。例如,應(yīng)用在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板領(lǐng)域中。另外應(yīng)用包括絕緣面板、微電子器件(諸如半導(dǎo)體器件)、具有TFT的基板、濾色器或類似應(yīng)用。
OLED是由(有機(jī))分子薄膜組成的固態(tài)器件,其通過施加電力來產(chǎn)生光。OLED可以在電子裝置上提供明亮顯示并比例如發(fā)光二極管(LED)或液晶顯示器(LCD)使用更少的功率。在處理腔室中,產(chǎn)生(例如,蒸發(fā)、濺射或噴射等)有機(jī)分子并使其在基板上凝結(jié)成薄膜。顆粒通過具有特定圖案的掩模,以在基板上形成OLED圖案。
為了減少沉積設(shè)備的占地面積,存在允許在豎直取向上處理被掩蔽的基板的沉積設(shè)備。換句話說,基板和掩模布置豎直地布置在處理腔室內(nèi)。當(dāng)掩模布置豎直地取向時(shí),重力可能引起掩模布置的變形或彎曲,從而造成處理過的基板、特別是沉積的膜或?qū)拥馁|(zhì)量降低。此外,在掩模布置組裝期間、在掩模對(duì)準(zhǔn)期間以及在材料沉積期間,避免掩模的變形是關(guān)鍵的,以便產(chǎn)生高質(zhì)量OLED。
因此,對(duì)改進(jìn)的掩模布置、改進(jìn)的掩模技術(shù)和用于生產(chǎn)諸如OLED的光電器件的改進(jìn)的設(shè)備存在持續(xù)的需求。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述,提供了一種用于掩蔽基板的掩模布置、一種用于處理基板的設(shè)備、以及一種用于在掩模載體內(nèi)對(duì)掩模框架提供支撐的方法。本公開內(nèi)容的另外方面、益處和特征從權(quán)利要求書、說明書和附圖而顯而易見。
根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)方面,提供了一種用于在處理腔室中進(jìn)行沉積期間掩蔽基板的掩模布置。所述掩模布置包括用于保持掩模的掩模框架。此外,所述掩模布置包括用于保持所述掩模框架的掩模載體,其中所述掩模框架由順應(yīng)性(compliant)支撐件連接到所述掩模載體。
根據(jù)本公開內(nèi)容的另一個(gè)方面,提供了一種用于在處理腔室中進(jìn)行沉積期間掩蔽基板的掩模布置,其中所述掩模布置包括:掩模框架,用于保持掩模;和掩模載體,用于保持所述掩模框架。所述掩模框架經(jīng)由第一機(jī)械結(jié)構(gòu)及經(jīng)由第二機(jī)械結(jié)構(gòu)而連接到所述掩模載體。所述第一機(jī)械結(jié)構(gòu)被配置為用于在第一方向和第二方向上支撐所述掩模框架。所述第二機(jī)械結(jié)構(gòu)被配置為用于在所述第一方向上提供自由度。
根據(jù)本公開內(nèi)容的另一個(gè)方面,提供了一種用于在處理腔室中進(jìn)行沉積期間掩蔽基板的掩模布置。所述掩模布置包括:掩模框架,用于保持掩模;和掩模載體,用于保持所述掩模框架。所述掩模框架經(jīng)由第一機(jī)械結(jié)構(gòu)及經(jīng)由第二機(jī)械結(jié)構(gòu)而連接到所述掩模載體。所述第一機(jī)械結(jié)構(gòu)被配置為用于在第一方向和第二方向上固定所述掩模框架的固定支撐件。所述第二機(jī)械結(jié)構(gòu)被配置為用于在所述第一方向上提供自由度并用于固定所述第二方向。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





