[發(fā)明專利]平面天線、共燒陶瓷基板和準(zhǔn)毫米波/毫米波無(wú)線通信組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780041041.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109478723A | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林健兒;榎木雅人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日立金屬株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01Q13/08 | 分類號(hào): | H01Q13/08;H01Q21/06;H01Q23/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷層 下表面 多層陶瓷 發(fā)射導(dǎo)體 分界 毫米波無(wú)線通信 毫米波 平面天線 陶瓷基板 組件平面 地導(dǎo)體 上表面 共燒 天線 | ||
平面天線包括:具有上表面和下表面的、含有層疊的多個(gè)陶瓷層的多層陶瓷構(gòu)造(10);位于多個(gè)陶瓷層(10)的一個(gè)分界面的至少一個(gè)發(fā)射導(dǎo)體(31);和位于所述多層陶瓷構(gòu)造的下表面、或多個(gè)陶瓷層的比所述發(fā)射導(dǎo)體靠下表面?zhèn)鹊囊粋€(gè)分界面的地導(dǎo)體(32)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及平面天線、共燒陶瓷基板和準(zhǔn)毫米波/毫米波無(wú)線通信組件。
背景技術(shù)
基于互聯(lián)網(wǎng)的信息傳送量飛躍性地增長(zhǎng),要求能夠傳送更大容量的信息的無(wú)線通信技術(shù)。此外,也要求更高精細(xì)的圖像的電視廣播。
無(wú)線通信中,傳送頻率越高,能夠使在信息傳送中利用的頻帶越廣,能夠傳送更多的信息。因此,近年來(lái),微波、特別是從1GHz左右到15GHz左右的范圍的無(wú)線LAN、便攜電話通信網(wǎng)、衛(wèi)星通信等無(wú)線通信被廣泛利用。
在這樣的高頻的無(wú)線通信中使用的天線中,例如使用平面天線。專利文獻(xiàn)1公開了在印刷配線基板設(shè)置有天線導(dǎo)體的GPS接收系統(tǒng)用的平面天線。天線導(dǎo)體為了防止腐蝕,用阻焊劑覆蓋。專利文獻(xiàn)2公開了在樹脂基板上設(shè)置有導(dǎo)體膜和覆蓋導(dǎo)體膜的保護(hù)膜的微波和毫米波區(qū)域的通信系統(tǒng)用平面天線。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開平6-140831號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2012-054826號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)課題
近年來(lái),作為用于傳送更大容量的信息的近距離無(wú)線通信技術(shù),準(zhǔn)毫米波/毫米波頻帶的無(wú)線通信技術(shù)受到關(guān)注。
不限定本發(fā)明的例示的一實(shí)施方式,提供在準(zhǔn)毫米波/毫米波頻帶的無(wú)線通信中能夠利用的平面天線、共燒陶瓷基板和準(zhǔn)毫米波/毫米波無(wú)線通信組件。
用于解決課題的技術(shù)方案
本發(fā)明例示的一實(shí)施方式的平面天線包括:具有上表面和下表面的、包含層疊的多個(gè)陶瓷層的多層陶瓷構(gòu)造;位于所述多個(gè)陶瓷層的分界面中的1個(gè)分界面的至少一個(gè)發(fā)射導(dǎo)體;和位于所述多層陶瓷構(gòu)造的下表面、或所述多個(gè)陶瓷層的比所述發(fā)射導(dǎo)體靠下表面?zhèn)鹊囊粋€(gè)分界面的地導(dǎo)體。
所述多層陶瓷構(gòu)造可以包括所述多個(gè)陶瓷層中位于所述上表面與所述至少一個(gè)發(fā)射導(dǎo)體之間的第一部分、和位于所述下表面與所述至少一個(gè)發(fā)射導(dǎo)體之間的第二部分。
所述第一部分的厚度可以是70μm以下。
所述第一部分的厚度可以為5μm以上、小于20μm。
所述多層陶瓷構(gòu)造的所述第一部分可以具有與所述第二部分不同的組成。
所述多層陶瓷構(gòu)造的所述第一部分可以具有與所述第二部分相同的組成。
所述平面天線可以含有多個(gè)所述發(fā)射導(dǎo)體。
所述發(fā)射導(dǎo)體與所述地導(dǎo)體的間隔可以為50μm以上、1mm以下。
所述發(fā)射導(dǎo)體可以埋設(shè)于所述第一部分和所述第二部分,所述發(fā)射導(dǎo)體的埋設(shè)于第一部分10c的部分的高度Hc小于埋設(shè)于第二部分10d的部分的高度Hd。
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