[發明專利]平面天線、共燒陶瓷基板和準毫米波/毫米波無線通信組件

在審

• 申請號: 201780041041.7
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN109478723A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 林健兒;榎木雅人
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H01Q13/08
• 分類號: H01Q13/08;H01Q21/06;H01Q23/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種平面天線，其特征在于，包括：

具有上表面和下表面的、包含層疊的多個陶瓷層的多層陶瓷構造；

位于所述多個陶瓷層的分界面中的1個分界面的至少一個發射導體；和

位于所述多層陶瓷構造的下表面、或所述多個陶瓷層的比所述發射導體靠下表面側的一個分界面的地導體。

2.如權利要求1所述的平面天線，其特征在于：

所述多層陶瓷構造包括：所述多個陶瓷層中位于所述上表面與所述至少一個發射導體之間的第一部分；和位于所述下表面與所述至少一個發射導體之間的第二部分。

3.如權利要求2所述的平面天線，其特征在于：

所述第一部分的厚度為70μm以下。

4.如權利要求2所述的平面天線，其特征在于：

所述第一部分的厚度為5μm以上、小于20μm。

5.如權利要求2～4中任一項所述的平面天線，其特征在于：

所述多層陶瓷構造的所述第一部分具有與所述第二部分不同的組成。

6.如權利要求2～4中任一項所述的平面天線，其特征在于：

所述多層陶瓷構造的所述第一部分具有與所述第二部分相同的組成。

7.如權利要求1～6中任一項所述的平面天線，其特征在于：

包括多個所述發射導體。

8.如權利要求1～6中任一項所述的平面天線，其特征在于：

所述發射導體與所述地導體的間隔為50μm以上、1mm以下。

9.如權利要求1～8中任一項所述的平面天線，其特征在于：

所述發射導體埋設于所述第一部分和所述第二部分，

所述發射導體的埋設于第一部分10c中的部分的高度Hc小于埋設于第二部分10d中的部分的高度Hd。

10.一種共燒陶瓷基板，其特征在于，包括：

具有上表面和下表面的、包含層疊的多個陶瓷層的多層陶瓷構造；

位于所述多個陶瓷層的分界面中的1個分界面的至少一個發射導體；

位于所述多層陶瓷構造的下表面、或者位于所述多個陶瓷層的比所述發射導體靠下表面側的一個分界面的地導體；

位于所述多個陶瓷層的比所述發射導體靠所述下表面側的分界面的多個導電體圖案；和

設置于所述多個陶瓷層之中的、位于比所述發射導體靠所述下表面側的位置的陶瓷層的多個導電性通路，

由所述發射導體、所述地導體和位于所述發射導體與所述地導體之間的所述多個陶瓷層的一部分構成平面天線，

由所述多個導電體圖案和所述多個導電性通路構成無源部件和配線。

11.如權利要求10所述的共燒陶瓷基板，其特征在于：

所述多層陶瓷構造包括：所述多個陶瓷層中位于所述上表面與所述至少一個發射導體之間的第一部分；和位于所述下表面與所述至少一個發射導體之間的第二部分。

12.如權利要求11所述的共燒陶瓷基板，其特征在于：

所述第一部分的厚度為70μm以下。

13.如權利要求11所述的共燒陶瓷基板，其特征在于：

所述第一部分的厚度為5μm以上、小于20μm。

14.如權利要求10～13中任一項所述的共燒陶瓷基板，其特征在于：

所述發射導體與所述地導體的間隔為50μm以上、1mm以下。

15.如權利要求10～14中任一項所述的共燒陶瓷基板，其特征在于：

所述發射導體埋設于所述第一部分和所述第二部分，

所述發射導體的埋設于第一部分10c中的部分的高度Hc小于埋設于第二部分10d中的部分的高度Hd。