[發(fā)明專利]全芳香族液晶聚酯樹脂、成型品、以及電氣電子部件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780040987.1
• 申請日: 2017-07-03
• 公開（公告）號: CN109563253B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鷲野豪介
• 申請（專利權(quán)）人: JXTG能源株式會社
• 主分類號: C08G63/60
• 分類號: C08G63/60;H01B3/42;H01B17/56
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

本發(fā)明提供一種具有特別低的介質(zhì)損耗角正切、且耐熱性優(yōu)異的全芳香族液晶聚酯樹脂。本發(fā)明的全芳香族液晶聚酯樹脂的特征在于，其是包含源自于6－羥基－2－萘甲酸的構(gòu)成單元(I)、源自于芳香族二醇化合物的構(gòu)成單元(II)、以及源自于芳香族二羧酸化合物的構(gòu)成單元(III)而構(gòu)成的，構(gòu)成單元(III)包含源自于對苯二甲酸的構(gòu)成單元(IIIA)，且包含源自于2，6－萘二甲酸的構(gòu)成單元(IIIB)以及源自于間苯二甲酸的構(gòu)成單元(IIIC)中的至少1種，所述構(gòu)成單元的組成比(摩爾％)滿足下述的條件：40摩爾％≤構(gòu)成單元(I)≤80摩爾％、10摩爾％≤構(gòu)成單元(II)≤30摩爾％、3摩爾％≤構(gòu)成單元(IIIA)≤28摩爾％、0摩爾％≤構(gòu)成單元(IIIB)≤9摩爾％、0摩爾％≤構(gòu)成單元(IIIC)＜5摩爾％(其中，構(gòu)成單元(IIIB)以及構(gòu)成單元(IIIC)不同時為0摩爾％。)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及全芳香族液晶聚酯樹脂以及成型品，更詳細而言，涉及具有特別低的介質(zhì)損耗角正切的全芳香族液晶聚酯樹脂以及包含該全芳香族液晶聚酯樹脂的成型品及電氣電子部件。

背景技術(shù)

近年來，隨著通信領(lǐng)域中的信息通信量的增加，電子設(shè)備及通信設(shè)備等中使用具有高頻帶頻率的信號的情形增加，特別是盛行使用具有頻率為10⁹以上的千兆赫(GHz)頻帶頻率的信號。例如，在汽車領(lǐng)域中使用GHz頻帶的高頻帶。具體而言，在出于防止汽車碰撞的目的而搭載的毫米波雷達、準(zhǔn)毫米波雷達中，分別使用76～79GHz、24GHz的高頻，預(yù)想今后將進一步普及。

但是，隨著被使用的信號的頻率升高，可能導(dǎo)致信息的錯誤識別的輸出信號的品質(zhì)降低、即、傳輸損耗增大。該傳輸損耗包括起因于導(dǎo)體的導(dǎo)體損耗、以及起因于構(gòu)成電子設(shè)備及通信設(shè)備中的基板等電氣電子部件的絕緣用樹脂的介電損耗，不過，由于導(dǎo)體損耗與使用的頻率的0.5次方成正比例，介電損耗與頻率的1次方成正比例，所以在高頻帶、特別是GHz帶中，由該介電損耗所帶來的影響變得非常大。另外，介電損耗還與樹脂的介質(zhì)損耗角正切成正比例地增大，因此，為了防止信息劣化而要求有一種具有低介質(zhì)損耗角正切的樹脂。

對于上述課題，在專利文獻1中，作為在高頻帶中顯示低介質(zhì)損耗角正切的液晶性芳香族聚酯，提出了包含源自于對羥基苯甲酸或間羥基苯甲酸的構(gòu)成單元以及源自于羥基萘甲酸的構(gòu)成單元中的2種以上的液晶性芳香族聚酯。

但是，要求構(gòu)成電氣電子部件的樹脂具有針對成型時的加熱的高耐熱性(膜制造穩(wěn)定性)，另外，要求使用該樹脂制作的膜等成型品具有針對使用了焊料等的加熱加工的高耐熱性。對于該課題，在專利文獻2中，作為像這樣的耐熱性等優(yōu)異的全芳香族聚酯，提出了包含1～6％的源自于對羥基苯甲酸的構(gòu)成單元、40～60％的源自于6－羥基－2－萘甲酸的構(gòu)成單元、17.5～30％的源自于芳香族二醇化合物的構(gòu)成單元、以及17.5～30％的源自于芳香族二羧酸的構(gòu)成單元的聚酯樹脂。

另外，由于全芳香族液晶聚酯樹脂的耐熱性及薄壁成型性等優(yōu)異，所以被廣泛使用于注射成型得到的表面安裝的電子部件。另外，由于還是介電損耗小且電氣特性也優(yōu)異的材料，所以，最近正在研究利用T模擠出法、吹塑法、溶液澆鑄法等將芳香族液晶聚酯成型為膜狀的方法。

對于上述課題，在專利文獻3中，作為耐熱性與膜加工性的平衡優(yōu)異且介電損耗小的芳香族液晶聚酯，提出了包含源自于2－羥基－6－萘甲酸的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(I)40～74.8摩爾％、源自于芳香族二醇化合物的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(II)12.5～30摩爾％、源自于2，6－萘二甲酸的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(III)12.5～30摩爾％、以及源自于對苯二甲酸或4，4’－聯(lián)苯二甲酸的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(IV)0.2～15摩爾％、且重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(III)以及(IV)的摩爾比滿足(III)/{(III)+(IV)}≥0.5的關(guān)系的芳香族液晶聚酯。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開2004－250620號公報

專利文獻2:日本特開2002－179776號公報