[發明專利]全芳香族液晶聚酯樹脂、成型品、以及電氣電子部件有效
| 申請號: | 201780040987.1 | 申請日: | 2017-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN109563253B | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發明(設計)人: | 鷲野豪介 | 申請(專利權)人: | JXTG能源株式會社 |
| 主分類號: | C08G63/60 | 分類號: | C08G63/60;H01B3/42;H01B17/56 |
| 代理公司: | 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芳香族 液晶 聚酯樹脂 成型 以及 電氣 電子 部件 | ||
1.一種全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
所述全芳香族液晶聚酯樹脂是包含源自于6-羥基-2-萘甲酸的構成單元I、源自于芳香族二醇化合物的構成單元II、以及源自于芳香族二羧酸化合物的構成單元III而構成的,
構成單元III包含源自于對苯二甲酸的構成單元IIIA,且包含源自于2,6-萘二甲酸的構成單元IIIB,
所述構成單元的組成比滿足下述的條件:
45摩爾%≤構成單元I≤75摩爾%、
12摩爾%≤構成單元II≤27.5摩爾%、
3摩爾%≤構成單元IIIA≤25摩爾%、
2摩爾%≤構成單元IIIB≤9摩爾%、
其中,組成比的單位為摩爾%,
所述全芳香族液晶聚酯樹脂的熔點為341℃以下,
所述全芳香族液晶聚酯樹脂在測定頻率10GHz下的介質損耗角正切為0.85×10-3以下,
以所述液晶聚酯樹脂的熔點+20℃、剪切速度1000s-1的條件擠出的熔融絲束在測定終點處的熔融張力為3mN以上,
所述液晶聚酯樹脂的熔點+20℃、剪切速度1000s-1時的熔融粘度為20~100Pa·s。
2.根據權利要求1所述的全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
所述構成單元的組成比還滿足下述的條件:
50摩爾%≤構成單元I≤70摩爾%、
15摩爾%≤構成單元II≤27摩爾%、
6摩爾%≤構成單元IIIA≤24摩爾%、
3摩爾%≤構成單元IIIB≤9摩爾%,
其中,組成比的單位為摩爾%。
3.根據權利要求1或2所述的全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
所述構成單元II由下式表示,
[化學式1]
式中,Ar1選自由根據期望而具有取代基的苯基、聯苯基、萘基、蒽基以及菲基構成的組。
4.根據權利要求1或2所述的全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
所述全芳香族液晶聚酯樹脂的熔點為300℃以上。
5.根據權利要求1或2所述的全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
以所述液晶聚酯樹脂的熔點+20℃、剪切速度1000s-1的條件擠出的熔融絲束的拉伸比為10倍以上。
6.根據權利要求1或2所述的全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
所述全芳香族液晶聚酯樹脂在測定頻率82GHz下的介質損耗角正切不足3.5×10-3。
7.根據權利要求1或2所述的全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
所述全芳香族液晶聚酯樹脂在測定頻率34GHz下的、30℃的介質損耗角正切不足2.0×10-3,并且,100℃的介質損耗角正切不足4.0×10-3。
8.根據權利要求1或2所述的全芳香族液晶聚酯樹脂,其特征在于,
所述全芳香族液晶聚酯樹脂在測定頻率34GHz下的30℃至100℃的介質損耗角正切的變化率不足3.0×10-5/℃。
9.一種成型品,其是包含權利要求1~8中的任意一項所述的全芳香族液晶聚酯樹脂而構成的。
10.根據權利要求9所述的成型品,其特征在于,
所述成型品為膜狀。
11.根據權利要求9所述的成型品,其特征在于,
所述成型品為纖維狀。
12.根據權利要求9所述的成型品,其特征在于,
所述成型品為注射成型品。
13.一種電氣電子部件,其是包含權利要求9~12中的任意一項所述的成型品而構成的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于JXTG能源株式會社,未經JXTG能源株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780040987.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





