[發(fā)明專利]用于使掩蔽裝置非接觸地懸浮的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780039914.0 | 申請日: | 2017-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN109844163A | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蒂莫·艾德勒 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;H01L21/677;C23C16/04;C23C14/56;C23C16/44;H01L21/68;B65G49/07 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩模組件 非接觸 懸浮 掩蔽裝置 | ||
一種方法包括使掩模組件(200)非接觸地懸浮。所述掩模組件包括載體(210)和由所述載體支持的掩蔽裝置(20)。所述方法包括在使掩模組件非接觸地懸浮時控制載體的形狀。
技術(shù)領(lǐng)域
本文描述的實施方式涉及掩蔽裝置的非接觸式懸浮,更具體地涉及一種用于掩蔽基板的掩蔽裝置。更具體地,本文描述的實施方式涉及掩蔽裝置的非接觸式懸浮,所述掩蔽裝置被配置用于在豎直方向上掩蔽大面積基板。
背景技術(shù)
已知若干用于在基板上沉積材料的方法。例如,可以使用蒸鍍工藝涂覆基板,所述蒸鍍工藝諸如物理氣相沉積(PVD)工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、濺射工藝、噴涂工藝等。所述工藝可以在沉積設(shè)備的處理腔室中進行,待涂覆的基板位于所述處理腔室中。在處理腔室中提供沉積材料。多種材料(諸如小分子、金屬、氧化物、氮化物和碳化物)可用于沉積在基板上。此外,可以在處理腔室中進行其他工藝,諸如蝕刻、結(jié)構(gòu)化、退火等。
經(jīng)涂覆的基板可用于若干應(yīng)用和若干技術(shù)領(lǐng)域中。例如,應(yīng)用在有機發(fā)光二極管(OLED)面板的領(lǐng)域中。其他應(yīng)用包括絕緣面板、微電子器件如半導(dǎo)體器件、具有TFT的基板、濾色器等。
OLED是由(有機)分子薄膜組成的固態(tài)器件,在施加電力的情況下,所述薄膜產(chǎn)生光。OLED可以在電子裝置上提供明亮的顯示,并且比例如發(fā)光二極管(LED)或液晶顯示器(LCD)使用更少的功率。在處理腔室中,產(chǎn)生(例如,蒸發(fā)、濺射或噴涂等)有機分子并使有機分子在基板上凝結(jié)成薄膜。顆粒穿過具有特定圖案的掩模,以在基板上形成OLED圖案。
為了減少沉積設(shè)備的占地面積,存在允許在豎直取向上處理被掩蔽基板的沉積設(shè)備。換句話說,基板和掩模豎直地布置在處理腔室內(nèi)。掩模與目標位置精確對準是有益的,因為不對準的掩模可能導(dǎo)致沉積在基板上的層的質(zhì)量降級。例如,為了在基板上提供具有非常小的尺寸的圖案,例如為了制造OLED,需要掩蔽裝置的精確對準。
鑒于上述情況,需要能夠提供掩蔽裝置的改善對準的方法和設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個實施方式,提供了一種方法。所述方法包括使掩模組件非接觸地懸浮。掩模組件包括載體和由所述載體支持的掩蔽裝置。所述方法包括在使掩模組件非接觸地懸浮時控制載體的形狀。
根據(jù)另一實施方式,提供了一種方法。所述方法包括用第一多個磁懸浮力使第一掩模組件非接觸地懸浮。所述第一掩模組件包括第一載體和由所述第一載體支持的第一掩蔽裝置。所述方法包括在通過第一多個磁懸浮力使第一掩模組件非接觸地懸浮時測量第一掩蔽裝置的對準。所述方法包括計算第二多個磁懸浮力。所述方法包括用第二多個磁懸浮力使掩模組件非接觸地懸浮。所述掩模組件包括載體和由所述載體支持的掩蔽裝置。所述掩模組件是第一掩模組件或第二掩模組件。第二多個磁懸浮力提供載體的變形。
根據(jù)另一實施方式,提供了一種設(shè)備。所述設(shè)備包括磁懸浮系統(tǒng),所述磁懸浮系統(tǒng)包括多個磁性單元。所述設(shè)備包括掩模組件,所述掩模組件包括載體和由所述載體支持的掩蔽裝置。所述設(shè)備包括連接到多個磁性單元的控制單元。所述設(shè)備被配置用于在使掩模組件非接觸地懸浮時控制載體的形狀。
附圖說明
完整并且對本領(lǐng)域一般技術(shù)人員來說可行的公開內(nèi)容在說明書的包括對附圖的參考的其余部分中更具體地闡述,其中:
圖1圖示用于制造OLED的沉積工藝;
圖2示出處于水平取向的掩模組件;
圖3示出處于水平取向的掩模組件,所述掩模組件包括掩模支撐件;
圖4示出處于豎直取向的掩模組件;
圖5示出處于豎直取向的掩模組件,所述掩模組件包括掩模支撐件;
圖6到圖7圖示根據(jù)本文描述的實施方式的方法;
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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