[發明專利]靶材裝置、濺射裝置有效
| 申請號: | 201780038787.2 | 申請日: | 2017-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN109312450B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 白井雅紀;山本拓司;高澤悟;石橋曉 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛發科 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉書航;閆小龍 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 濺射 | ||
1.一種靶材裝置,具有:
墊板;
濺射靶材,其被配置于所述墊板的單面,使要受濺射的濺射面露出;以及
磁體裝置,其被配置于所述墊板的與配置有所述濺射靶材的一側相反的一側,
所述磁體裝置具有:
外側磁體,其上端位于與濺射之前的所述濺射靶材的所述濺射面平行的磁體平面,被設為環形形狀;
內側磁體,其上端位于所述磁體平面,以與所述外側磁體不接觸的方式配置于所述外側磁體的內側;以及
環形形狀的高導磁率板,其具有比所述墊板的導磁率大的導磁率,
所述高導磁率板包圍所述內側磁體,被配置于被所述外側磁體包圍的位置,
以所述高導磁率板的表面與所述磁體平面一致或者位于比所述磁體平面更接近所述濺射靶材處、所述高導磁率板的背面與所述磁體平面一致或者位于比所述磁體平面更遠離于所述濺射靶材處的方式進行配置,以將磁場的垂直分量為零的點連結得到的沿相對于所述高導磁率板的表面垂直的方向延伸的第一線段和將磁場的垂直分量為零的點連結得到的從所述外側磁體的上端的內周向所述內側磁體的上端的外緣延伸或者從所述高導磁率板的表面的一個端部向另一端部延伸的第二線段交叉的特異點處的水平方向的磁場強度為140G以上且230G以下的值的方式在所述濺射面上形成磁力線,所述高導磁率板由導磁率為0.9×10-3H/m以上的金屬材料構成。
2.根據權利要求1所述的靶材裝置,其中,
使得所述高導磁率板與所述外側磁體和所述內側磁體不接觸。
3.一種濺射裝置,具有:
真空槽;以及
靶材裝置,其被配置于所述真空槽的內部,
所述靶材裝置具有:
墊板;
濺射靶材,其被配置于所述墊板的單面,使要受濺射的濺射面露出;以及
磁體裝置,其被配置于所述墊板的與配置有所述濺射靶材的一側相反的一側,
所述磁體裝置具有:
外側磁體,其上端位于與濺射之前的所述濺射靶材的所述濺射面平行的磁體平面,被設為環形形狀;
內側磁體,其上端位于所述磁體平面,以與所述外側磁體不接觸的方式配置于所述外側磁體的內側;以及
環形形狀的高導磁率板,其具有比所述墊板的導磁率大的導磁率,
所述高導磁率板包圍所述內側磁體,被配置于被所述外側磁體包圍的位置,
以所述高導磁率板的外側側面和內側側面與所述磁體平面相交叉、或者所述外側側面的上端和所述內側側面的上端或所述外側側面的下端和所述內側側面的下端與所述磁體平面一致的方式進行配置,
以將磁場的垂直分量為零的點連結得到的沿相對于所述高導磁率板的表面垂直的方向延伸的第一線段和將磁場的垂直分量為零的點連結得到的從所述外側磁體的上端的內周向所述內側磁體的上端的外緣延伸或者從所述高導磁率板的表面的一個端部向另一端部延伸的第二線段交叉的特異點處的水平方向的磁場強度為140G以上且230G以下的值的方式在所述濺射面上形成磁力線,所述高導磁率板由導磁率為0.9×10-3H/m以上的金屬材料構成。
4.根據權利要求3所述的濺射裝置,其中,
使得所述高導磁率板與所述外側磁體和所述內側磁體不接觸。
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