[發(fā)明專利]用于有機空穴導體的p型摻雜的交聯(lián)的p型摻雜劑有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780037679.3 | 申請日: | 2017-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN109643758B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 岡特·施密德;弗洛里安·凱斯勒;卡特婭·施特格邁爾;法布里斯·埃克斯;霍爾格·海爾;貝亞特·布克哈特;亨寧·賽梅 | 申請(專利權(quán))人: | 默克專利股份有限公司 |
| 主分類號: | H10K71/00 | 分類號: | H10K71/00;H10K85/30;H10K10/46;H10K30/40;H10K50/15 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;李建航 |
| 地址: | 德國達*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 有機 空穴 導體 摻雜 交聯(lián) | ||
1.一種用于通過官能化的p型摻雜劑反應來制備交聯(lián)的空穴導電層的方法,其中所述官能化的p型摻雜劑是有機金屬絡(luò)合物,所述有機金屬絡(luò)合物包括至少一個中心原子和有機配體,其中所述中心原子選自元素周期表的第6至第15族的金屬并且所述有機配體中的至少一個有機配體選自下列式I至式V:
其中
E彼此獨立地為氧、硫、硒或N(E1)x,其中E1彼此獨立地選自:H、D、取代的或未取代的烷基或芳基,并且x=0、1或2;
R彼此獨立地為H、D、F、C1-C20的支鏈的和非支鏈的取代的或未取代的烷基或芳基;
Rv分別彼此獨立地選自:取代的或未取代的芳基、烷基、烷氧基、環(huán)烷基、亞芳基、鹵代芳基、雜芳基、雜亞芳基、雜環(huán)亞烷基、雜環(huán)烷基、鹵代雜芳基、烯基、鹵代烯基、炔基、鹵代炔基、酮芳基、鹵代酮芳基、酮基雜芳基、酮烷基、鹵代酮烷基、酮烯基、鹵代酮烯基,和
-每個Rv分別具有至少一個進行官能化的殘基或由這些殘基構(gòu)成,所述殘基選自組RF,其包括-OH、-COOH、-NH2、-NHR’、鹵素、C2-C40的烯基、-二烯基、-炔基、-鏈烯氧基、-二烯氧基、-炔氧基、丙烯酸、氧雜環(huán)丁烷、環(huán)氧乙烷、硅烷和環(huán)丁烷;其中R’是C1-C20的支鏈的、非支鏈的、取代的和未取代的烷基和芳基;
-G=-C(RF)uHvFw,其中u+v+w=3;
-并且n=1至4,
其中所述官能化的p型摻雜劑與官能化的空穴導體反應,并且所述官能化的空穴導體同樣具有至少一個選自RF或Rv的殘基,其中所述官能化的p型摻雜劑在Rv或G內(nèi)部具有NH2基團和/或NHR’基團作為RF并且所述官能化的空穴導體在RF或Rv內(nèi)部具有環(huán)氧基團或氧雜環(huán)丁烷基團。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其中所述官能化的p型摻雜劑與官能化的空穴導體反應,并且所述官能化的空穴導體同樣具有至少一個選自RF或Rv的殘基,并且其中所述官能化的p型摻雜劑與所述官能化的空穴導體交聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,
其中所述金屬絡(luò)合物包括作為中心原子的鉍、錫、鋅、銠、鉬、鉻或銅并且所述有機配體中的至少一個有機配體對應于所述式I。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,
其中所述有機配體中的至少一個有機配體對應于下列式VI、式VII或式VIII中的一個:
其中
R2和R3或R2、R3和R4彼此獨立地選自:F和支鏈的和非支鏈的取代的烷基或取代的芳基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,
其中所述金屬絡(luò)合物包括鉍、錫、鋅、銠、鉬、鉻或銅并且所述有機配體中的至少一個有機配體對應于所述式II。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,
其中所述金屬絡(luò)合物包括鉍、錫、鋅、銠、鉬、鉻或銅并且所述有機配體中的至少一個有機配體對應于所述式III。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,
其中所述金屬絡(luò)合物包括鉍、錫、鋅、銠、鉬、鉻或銅并且所述有機配體中的至少一個有機配體對應于所述式IV。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,
其中所述金屬絡(luò)合物包括鉍、錫、鋅、銠、鉬、鉻或銅并且所述有機配體中的至少一個有機配體對應于所述式V。
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