[發明專利]用于有機空穴導體的p型摻雜的交聯的p型摻雜劑有效
| 申請號: | 201780037679.3 | 申請日: | 2017-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN109643758B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發明(設計)人: | 岡特·施密德;弗洛里安·凱斯勒;卡特婭·施特格邁爾;法布里斯·??怂?/a>;霍爾格·海爾;貝亞特·布克哈特;亨寧·賽梅 | 申請(專利權)人: | 默克專利股份有限公司 |
| 主分類號: | H10K71/00 | 分類號: | H10K71/00;H10K85/30;H10K10/46;H10K30/40;H10K50/15 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;李建航 |
| 地址: | 德國達*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 有機 空穴 導體 摻雜 交聯 | ||
本發明涉及一種用于通過官能化的p型摻雜劑反應來制備交聯的空穴導電層的方法,其中官能化的p型摻雜劑是有機金屬絡合物,所述有機金屬絡合物包括至少一個中心原子和有機配體,其中所述中心原子選自元素周期表的第6至第15族的金屬并且所述有機配體中的至少一個選自下列式I至式V,其中E彼此獨立地為氧、硫、硒或N(Esubgt;1/subgt;)subgt;x/subgt;并且每個Rsubgt;v/subgt;分別具有至少一個進行官能化的殘基或由這些殘基構成,所述殘基選自組Rsubgt;F/subgt;,其包括?OH、?COOH、?NHsubgt;2/subgt;、?NHR’、鹵素、C2?C40烯基、?二烯基、?炔基、?鏈烯氧基、?二烯氧基、?炔氧基、丙烯酸、氧雜環丁烷、環氧乙烷、硅烷、丙烯酸、酐和環丁烷,G=C(Rsubgt;F/subgt;)subgt;u/subgt;Hsubgt;v/subgt;Fsubgt;w/subgt;,其中u+v+w=3并且n=1至4。
技術領域
本發明涉及一種用于制備交聯的空穴導電層的方法,一種交聯的空穴導電層和一種有機電子器件,所述有機電子器件包括交聯的空穴導電層。
該申請要求德國專利申請10?2016?111?062.0的優先權,其公開的內容通過參引并入本文。
背景技術
如今,基本上借助兩種不同的制造方法獲得有機電子設備的商業上最重要的器件。在此,一方面,使用濕法工藝,在所述濕法工藝中有機層通過經由不同的印刷技術、即例如噴墨印刷、凹版印刷、膠版印刷、旋涂涂覆或夾縫式涂覆從溶液中沉積而構建。另一方面,能夠借助升華、即在真空中熱蒸鍍將層從氣相中沉積來進行。通過升華制造迄今最有效的、商業上可用的有機器件,即例如有機發光二極管、太陽能電池、晶體管和雙極性晶體管。此外,這些器件的效率也通過以下方式達到,所述器件由非常多單層構成,其中每個層具有關于在組件中的位置方面特定的電學功能。
目前,通過溶劑工藝制造的有機器件在結構方面仍具有明顯較小的復雜性。這因工藝所決定地由于沉積的有機層在其他加工步驟中不應通過下述有機溶劑溶解的要求而得出。為了滿足該邊緣條件,如果在進一步的工藝中用正交溶劑(也就是說,與上述溶劑不能混合)來操作以便位于下方的層不再溶解,則是最可靠的。該方法方式限制能使用的溶劑的數量和能加工的有機物質的數量并且因此限制能以濕法工藝處理的層序列的電學微調的可行性。
上述邊緣條件適用于制造有機器件中的每個電功能層,也就是說,阻擋層、n型導電層或p型導電層、發射層、有機層,而尤其制造高效的并且長壽的p型導電層、即空穴導電層是挑戰性的。這涉及要遵循的工藝條件和適合的化合物的選擇,所述工藝條件和化合物剛好必須在由其構造的器件的使用壽命長的同時顯示出高的功能性。
例如,在DE?102012209523中描述通過真空工藝和濕法工藝借助有機金屬絡合物進行p型摻雜。但在該申請中尚未解決摻雜劑的沖蝕和析出的問題。
發明內容
因此,本發明的目的是提出一種方法,所述方法通過使用官能化的p型摻雜劑和可選的官能化的空穴導體來提高空穴導電層的導電率并且同時產生交聯的穩定的層,所述層被保護防止層外源性的物質的進入(Eintrag)、沖蝕或析出。
該目的通過實施例的特征實現。在下述描述中描述本發明的特別的實施方式。
根據至少一個實施方式,本發明涉及一種用于制造交聯的空穴導電層的方法。在此,官能化的p型摻雜劑反應。官能化的p型摻雜劑能夠通過化學反應彼此交聯和/或與官能化的空穴導體交聯。因此,將交聯在此和在下文中應理解為在官能化的p型摻雜劑彼此之間和/或在官能化的p型摻雜劑和官能化的空穴導體之間構成共價鍵。
根據至少一個實施方式,官能化的p型摻雜劑包括有機金屬絡合物。金屬絡合物包括作為中心原子的至少一種金屬和有機配體。中心原子選自元素周期表的第6至第15族的金屬。至少一個有機配體選自包括下列式I至式V的配體:
其中
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于默克專利股份有限公司,未經默克專利股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780037679.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:CEM切換裝置
- 下一篇:用于制備有機半導體層和有機電子器件的方法





