[發明專利]基板處理裝置、液體原料補充系統、半導體裝置的制造方法、存儲介質

有效

• 申請號: 201780036974.7
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN109314057B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 磯邊紀之;壽崎健一;葛西健;河原喜隆;島田真一
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/316
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 張敬強;李平

抑制形成于基板的膜的面內均勻性的值發生偏差。具備：包含處理室的處理部；形成為包括具有凹部的底部和壁部，且儲存液體原料的儲存罐；將液體原料氣化而生成原料氣體的氣化部；向處理室供給原料氣體的供給部；探測儲存于儲存罐的液體原料的液面水平，并且具有配置于凹部的傳感器元件的連續傳感器；向儲存罐補充液體原料的補充部；以及控制部，該控制部控制供給部，向處理室供給原料氣體而進行處理基板的基板處理，并且每次進行預先決定的次數的基板處理時，基于連續傳感器探測到的液體原料的液面水平，控制補充部，以儲存于儲存罐的液體原料的液面水平成為預先決定的水平的方式向儲存罐補充液體原料。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置、液體原料補充系統、半導體裝置的制造方法、以及存儲介質。

背景技術

在專利文獻1中，作為半導體裝置(設備)的制造工序的一工序，記載了在容納于處理室內的基板形成膜的成膜處理。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014－67877號公報

發明內容

發明所要解決的課題

成膜處理使用原料氣體(例如，三甲基鋁(Al(CH₃)₃)簡稱：TMA)。而且，在該原料氣體中，以ppb(parts?per?billion：十億分率)等級，含有雜質。起因于該雜質的量，形成于基板的膜的面內均勻性的值產生偏差。

本發明的課題在于抑制形成于基板的膜的面內均勻性的值產生偏差。

用于解決課題的方案

根據本發明，提供一種技術，其具備：處理部，其在內部形成有容納基板的處理室；儲存罐，其形成為包含具有凹狀的凹部的底部和從上述底部的周緣立起的壁部，且儲存液體原料；氣化部，其將儲存于上述儲存罐的液體原料氣化而生成原料氣體；供給部，其向上述處理室供給由上述氣化部生成的原料氣體；傳感器，其連續地探測儲存于上述儲存罐的液體原料的液面水平，并且具有配置于上述凹部的傳感器元件；補充部，其向上述儲存罐補充液體原料；以及控制部，其控制上述供給部，向上述處理室供給原料氣體，從而進行處理上述基板的基板處理，并且每次進行預先決定的次數的上述基板處理時，基于上述傳感器探測到的液體原料的液面水平來控制上述補充部，以儲存于上述儲存罐的液體原料的液面水平成為預先決定的水平的方式向上述儲存罐補充液體原料。

發明效果

根據本發明，能夠抑制形成于基板的膜的面內均勻性的值產生偏差。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式的基板處理裝置具備的儲存罐等的結構圖。

圖2是表示本發明的實施方式的基板處理裝置具備的處理室等的剖視圖。

圖3是表示本發明的實施方式的基板處理裝置的概略結構圖。

圖4是用于說明本發明的實施方式的基板處理裝置具備的控制器的塊圖。

圖5是表示使用本發明的實施方式的基板處理裝置對晶圓進行成膜處理的情況的成膜順序的圖。

圖6(A)(B)是為了說明本發明的實施方式的基板處理裝置的必要性而使用的圖，是用圖表表示出面內均勻性與殘留于儲存罐的液體原料的量的關系的圖。

圖7是表示相對于本發明的實施方式的基板處理裝置的比較方式的基板處理裝置具備的儲存罐等的結構圖。

具體實施方式

本發明者等潛心研究了儲存于儲存罐的液體原料的量與利用通過將該液體原料氣化而生成的原料氣體形成于基板的膜的面內均勻性的關系。其結果，本發明者等根據以下的見解得到本發明。