[發(fā)明專利]基板處理裝置、液體原料補(bǔ)充系統(tǒng)、半導(dǎo)體裝置的制造方法、存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780036974.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109314057B | 公開(公告)日: | 2023-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 磯邊紀(jì)之;壽崎健一;葛西健;河原喜隆;島田真一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社國際電氣 |
| 主分類號(hào): | H01L21/31 | 分類號(hào): | H01L21/31;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/316 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強(qiáng);李平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 液體 原料 補(bǔ)充 系統(tǒng) 半導(dǎo)體 制造 方法 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
處理部,其在內(nèi)部形成有容納基板的處理室;
儲(chǔ)存罐,其形成為包含具有凹狀的凹部的底部和從上述底部的周緣立起的壁部,且儲(chǔ)存液體原料;
氣化部,其將儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存罐的液體原料氣化而生成原料氣體;
供給部,其向上述處理室供給由上述氣化部生成的原料氣體;
傳感器,其探測(cè)儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存罐的液體原料的液面水平,并且具有配置于上述凹部的傳感器元件;
補(bǔ)充部,其向上述儲(chǔ)存罐補(bǔ)充液體原料;以及
控制部,其控制上述供給部,向上述處理室供給原料氣體,從而進(jìn)行處理上述基板的基板處理,并且每次進(jìn)行預(yù)先決定的次數(shù)的上述基板處理時(shí),基于上述傳感器探測(cè)到的液體原料的液面水平來控制上述補(bǔ)充部,以儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存罐的液體原料的液面水平成為預(yù)先決定的水平的方式向上述儲(chǔ)存罐補(bǔ)充液體原料,其中該預(yù)先決定的水平是在上述儲(chǔ)存罐儲(chǔ)存有為了上述傳感器探測(cè)上述液面水平所需的最小的上述液體原料的量和為了進(jìn)行預(yù)先決定的次數(shù)的上述基板處理所需的上述液體原料的量的總量時(shí)的液面水平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述傳感器是超聲波傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
為了上述傳感器探測(cè)上述液面水平所需的最小的液體原料的量是上述液面水平為上述儲(chǔ)存罐的下限值的量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
為了進(jìn)行預(yù)先決定的次數(shù)的上述基板處理所需的液體原料的量是為了進(jìn)行預(yù)先決定的次數(shù)的循環(huán)而在上述基板形成預(yù)定的膜所需的液體原料的量,上述循環(huán)依次進(jìn)行向上述處理室內(nèi)供給上述原料氣體的工序、去除上述處理室內(nèi)的上述原料氣體的工序、向上述處理室內(nèi)供給反應(yīng)氣體的工序、以及去除上述處理室內(nèi)的上述反應(yīng)氣體的工序。
5.一種液體原料補(bǔ)充系統(tǒng),其特征在于,具備:
儲(chǔ)存罐,其形成為包含具有凹狀的凹部的底部和從上述底部的周緣立起的壁部,且儲(chǔ)存液體原料;
氣化部,其將儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存罐的液體原料氣化而生成原料氣體;
供給部,其向處理室供給由上述氣化部生成的原料氣體;
傳感器,其探測(cè)儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存罐的液體原料的液面水平,并且具有配置于上述凹部的傳感器元件;
補(bǔ)充部,其向上述儲(chǔ)存罐補(bǔ)充液體原料;以及
控制部,其控制上述供給部,向上述處理室供給原料氣體,并且每次對(duì)上述處理室供給預(yù)先決定的次數(shù)的原料氣體時(shí),基于上述傳感器探測(cè)到的液體原料的液面水平來控制上述補(bǔ)充部,以儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存罐的液體原料的液面水平成為預(yù)先決定的水平的方式向上述儲(chǔ)存罐補(bǔ)充液體原料,其中該預(yù)先決定的水平是在上述儲(chǔ)存罐儲(chǔ)存有為了上述傳感器探測(cè)上述液面水平所需的最小的上述液體原料的量和為了進(jìn)行預(yù)先決定的次數(shù)的基板處理所需的上述液體原料的量的總量時(shí)的液面水平。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體原料補(bǔ)充系統(tǒng),其特征在于,
上述傳感器是超聲波傳感器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體原料補(bǔ)充系統(tǒng),其特征在于,
為了上述傳感器探測(cè)上述液面水平所需的最小的液體原料的量是上述液面水平為上述儲(chǔ)存罐的下限值的量。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液體原料補(bǔ)充系統(tǒng),其特征在于,
為了進(jìn)行預(yù)先決定的次數(shù)的上述基板處理所需的液體原料的量是為了進(jìn)行預(yù)先決定的次數(shù)的循環(huán)而在上述基板形成預(yù)定的膜所需的上述液體原料的量,上述循環(huán)依次進(jìn)行向上述處理室內(nèi)供給上述原料氣體的工序、去除上述處理室內(nèi)的上述原料氣體的工序、向上述處理室內(nèi)供給反應(yīng)氣體的工序、以及去除上述處理室內(nèi)的上述反應(yīng)氣體的工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





