[發明專利]在高溫下合成核殼納米晶體的方法

在審

• 申請號: 201780035034.6
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN109312489A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 闞世海
• 申請（專利權）人: 納米系統公司
• 主分類號: C30B7/14
• 分類號: C30B7/14;C30B29/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳文平;侯寶光

1.一種制備納米結構的方法，包括：

(a)引入包含至少一種第一殼前體的溶液；

(b)提高(a)中所得溶液的溫度；和

(c)向(a)的所述溶液中同時添加至少一種第二殼前體和納米晶核，其中(c)中的所述至少一種第二殼前體不同于(a)中的所述第一殼前體；

以提供納米結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米晶核是InP、InZnP、InGaP、CdSe、CdS、CdSSe、CdZnSe、CdZnS、ZnSe、ZnSSe、InAs、InGaAs或InAsP納米晶體。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述納米晶核是InP納米晶體。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中所述至少一種第一殼前體是鋅源或鎘源。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述鋅源選自油酸鋅、己酸鋅、辛酸鋅、月桂酸鋅、棕櫚酸鋅、硬脂酸鋅、二硫代氨基甲酸鋅或其混合物。

6.根據權利要求4或5所述的方法，其中所述鋅源是硬脂酸鋅或油酸鋅。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述第二殼前體是硫源、硒源或碲源。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述硒源選自三辛基膦硒化物、三(正丁基)膦硒化物、三(仲丁基)膦硒化物、三(叔丁基)膦硒化物、三甲基膦硒化物、三苯基膦硒化物、二苯基膦硒化物、苯基膦硒化物、三環己基膦硒化物、環己基膦硒化物、1-辛烷硒醇、1-十二烷硒醇、苯硒酚、單質硒、雙(三甲基甲硅烷基)硒醚及其混合物。

9.根據權利要求7或8所述的方法，其中所述硒源是三(正丁基)膦硒化物或三辛基膦硒化物。

10.根據權利要求7所述的方法，其中所述硫源選自單質硫、辛烷硫醇、十二烷硫醇、十八烷硫醇、三丁基膦硫化物、異硫氰酸環己酯、α-甲苯硫醇、三硫代碳酸亞乙酯、烯丙基硫醇、雙(三甲基甲硅烷基)硫醚、三辛基膦硫化物及其混合物。

11.根據權利要求7或10所述的方法，其中所述硫源是辛烷硫醇。

12.根據權利要求1-11中任一項所述的方法，其中將(b)中的所述溫度升高至約200℃至350℃。

13.根據權利要求1-12中任一項所述的方法，其中將(b)中的所述溫度升高至約280℃至約350℃。

14.根據權利要求1-13中任一項所述的方法，其中將(b)中的所述溫度升高至約300℃至約330℃。

15.根據權利要求1-14中任一項所述的方法，其中將(b)中的所述溫度保持2分鐘至240分鐘。

16.根據權利要求1-15中任一項所述的方法，其中將(b)中的所述溫度保持5分鐘至15分鐘。

17.根據權利要求1-16中任一項所述的方法，其中(a)中的所述溶液進一步包含溶劑。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述溶劑選自1-十八碳烯、1-十六碳烯、1-二十碳烯、二十烷、十八烷、十六烷、十四烷、角鯊烯、三辛基氧化膦、三辛基膦和二辛基醚。

19.根據權利要求17或18所述的方法，其中所述溶劑是三辛基膦。