[發明專利]半導體加工用粘合片有效
| 申請號: | 201780034368.1 | 申請日: | 2017-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN109312199B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 森下友堯;小升雄一朗 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | C09J7/25 | 分類號: | C09J7/25;C09J7/50;C09J7/30;C09J133/06;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工用 粘合 | ||
本發明涉及一種半導體加工用粘合片,其具備基材和粘合劑層,所述粘合劑層設置在所述基材的一面上,且由粘合劑組合物形成,其中,所述粘合劑組合物含有:具有反應性官能團(A1)的聚合物(A)、具有與反應性官能團(A1)不同的反應性官能團(B1)及能量線聚合性基團(B2)的聚合物(B)、與反應性官能團(A1)反應的交聯劑(C)、以及與反應性官能團(B1)反應的交聯劑(D)。
技術領域
本發明涉及半導體加工用粘合片,特別涉及用于對帶凸塊的半導體晶片的表面進行保護的半導體晶片表面保護用粘合片。
背景技術
在信息終端設備的薄型化、小型化、多功能化的迅速發展過程中,對于搭載于這些設備中的半導體裝置也同樣地要求薄型化、高密度化,還希望半導體晶片的薄型化。以往,為了應對該要求,進行了對半導體晶片的背面進行磨削來薄型化。另外,近年來,半導體晶片有時會在晶片表面形成由焊料等形成的高度為幾十~幾百μm程度的凸塊。這樣的帶凸塊的半導體晶片在進行背面磨削的情況下,為了對凸塊部分進行保護,在形成了凸塊的晶片表面粘貼表面保護片。
作為表面保護片,目前已知如專利文獻1所公開那樣的使用在基材上依次設有中間層及粘合劑層的粘合片。專利文獻1中,粘合劑層使用丙烯酸類粘合劑、有機硅類粘合劑、橡膠類粘合劑等慣用的粘合劑。另外,示出了可以在粘合劑中配合交聯劑而導入交聯結構。
此外,在專利文獻1中,還公開了在粘合劑中配合能量線固化型低聚物、或者在構成粘合劑的聚合物中導入碳-碳雙鍵而使粘合劑成為能量線固化性。對于表面保護片而言,通過使用能量線固化性粘合劑,在輻射能量線時粘合劑層的粘合力降低,因此,使用后容易從半導體晶片上剝離。
另外,目前已知具有雙網絡結構的超高強度凝膠。對于超高強度凝膠而言,例如如非專利文獻1所示那樣,可通過將聚(2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸)聚合而得到凝膠(PAMPS凝膠),將該PAMPS凝膠浸漬于丙烯酰胺單體溶液中之后,在PAMPS凝膠內部使丙烯酰胺聚合而得到。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第4367769號公報
非專利文獻1:超高強度Double Network凝膠的藥物發現(創薬)及其高強度化機理、高分子論文集、Vol.65,No.12,(2008)pp.707-715
發明內容
發明要解決的問題
近年來,伴隨著半導體裝置的進一步的高密度化、小型化,存在凸塊高度變大的傾向。但是,針對凸塊高度大的半導體晶片,在表面保護片剝離時容易在凸塊上產生粘合劑殘渣(殘膠)。通過使粘合劑為能量線固化性,存在使殘膠減少的傾向,但近年來,要求進一步降低半導體晶片的污染,僅僅通過使粘合劑為能量線固化性,有時殘膠并不能降低至所期望的水平。
另外,在非專利文獻1中,并沒有嘗試將具有雙網絡結構的超高強度凝膠應用于粘合劑、或者將具有雙網絡結構的超高強度凝膠變更為能量線固化性。
本發明是鑒于以上實際情況而進行的,本發明的課題在于,提供一種在剝離時不易在半導體晶片等工件表面產生殘膠的半導體加工用粘合片。
解決問題的方法
本發明人等經過深入研究的結果發現,在構成粘合劑層的粘合劑組合物中配合2種聚合物,并通過不同的交聯體系將各個聚合物進行交聯,同時通過使一種聚合物為能量線固化性,由此可以解決上述課題,從而完成了以下的本發明。即,本發明提供以下(1)~(10)的半導體加工用粘合片。
(1)一種半導體加工用粘合片,其具備基材和粘合劑層,所述粘合劑層設置在所述基材的一面上,且由粘合劑組合物形成,
其中,所述粘合劑組合物含有:
具有反應性官能團(A1)的聚合物(A);
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