[發(fā)明專利]高介電性薄膜、其用途和制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780033235.2
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN109196025B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設計）人: 福井弘;正富亨;津田武明
• 申請（專利權）人: 陶氏東麗株式會社
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;B32B27/00;H01B3/46
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝;陳哲鋒

1.一種含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其中，薄膜寬度方向上末端的厚度與中央的厚度之差為5.0％以內(nèi)，薄膜中央的厚度在50μm～1000μm的范圍內(nèi)，

其中，所述高介電性薄膜是使含氟烷基的固化性有機聚硅氧烷組合物固化而成，所述含氟烷基的固化性有機聚硅氧烷組合物含有：

(A)由下述結構式(I)表示的含氟烷基的有機聚硅氧烷；

R¹R²₂Si(OSiR¹R²)_e1(OSiR²₂)_e2OSiR¹R²₂ (I)

式中，R¹為(C_PF_2P+1)-R-所表示的氟烷基或碳原子數(shù)為2～12的烯基，其中的R為碳原子數(shù)1～10的亞烷基，p為1～8范圍內(nèi)的數(shù)，R²相同或獨立地為碳原子數(shù)為1～12的烷基、碳原子數(shù)為6～20的芳基、碳原子數(shù)為7～20的芳烷基、羥基，或碳原子數(shù)為1～6的烷氧基，且所有的R¹中的至少兩個為碳原子數(shù)為2～12的烯基，所有的R¹和R²中的10摩爾％以上為所述的氟烷基，e1為正數(shù)，e2為0或正數(shù)，是滿足5e1+e2+2500的數(shù)；

(B)在分子中具有至少兩個硅鍵合氫原子的有機氫聚硅氧烷，其相對于(A)成分的烯基的總量1摩爾，本成分中的硅鍵合氫原子為0.1～1.0摩爾的量；

(C)有效量的氫化硅烷化反應用催化劑；以及

(D)溶劑，其相對于(A)～(C)成分的總和100質(zhì)量份，為0～2000質(zhì)量份。

2.根據(jù)權利要求1所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其特征在于，薄膜寬度為30mm以上，薄膜面積為900mm²以上，1kHz、25℃下的相對介電常數(shù)為4以上。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其實質(zhì)上是透明的，薄膜中央的厚度在100μm～900μm的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權利要求1所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其中，23℃下的剪切儲能彈性模量在10³Pa～10⁵Pa的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權利要求1所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其由底漆層和層疊在底漆層上的平坦化層構成。

6.根據(jù)權利要求1所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其由厚度5μm～40μm的底漆層和層疊在底漆層上的厚度10μm～800μm的平坦化層構成，上述底漆層和平坦化層均是含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物。

7.根據(jù)權利要求1所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其特征在于，通過壓延加工而成。

8.根據(jù)權利要求1所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其具有通過在具有剝離層的隔板間進行固化而形成的平坦化層。

9.根據(jù)權利要求1所述的含氟烷基的有機聚硅氧烷固化物的高介電性薄膜，其使固化性有機聚硅氧烷組合物固化而形成，所述固化性有機聚硅氧烷組合物至少含有硅原子上的全部取代基的10摩爾％以上為(C_pF_2p+1)-R-表示的氟烷基的含氟烷基有機聚硅氧烷，其中的R為碳原子數(shù)1～10的亞烷基，p為1～8范圍內(nèi)的數(shù)。