[發(fā)明專(zhuān)利]感測(cè)放大器構(gòu)造有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780033108.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-08-02 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109196584B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-07-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | C·L·英戈?duì)査?/a>;S·J·德?tīng)柤{ | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11C7/06 | 分類(lèi)號(hào)： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國(guó)愛(ài)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 放大器 構(gòu)造 | ||
1.一種感測(cè)放大器構(gòu)造，其包括：
第一n型晶體管和在所述第一n型晶體管上方的第二n型晶體管；
第三p型晶體管和在所述第三p型晶體管上方的第四p型晶體管；
較低電壓激活線(xiàn)，其電耦合到n型源極/漏極區(qū)域，所述n型源極/漏極區(qū)域在高度上處于所述第一n型晶體管和所述第二n型晶體管的對(duì)應(yīng)柵極之間；
較高電壓激活線(xiàn)，其電耦合到p型源極/漏極區(qū)域，所述p型源極/漏極區(qū)域在高度上處于所述第三p型晶體管和所述第四p型晶體管的對(duì)應(yīng)柵極之間；
第一下部導(dǎo)體，其將所述第一n型晶體管和所述第三p型晶體管的柵極直接電耦合在一起；
第二上部導(dǎo)體，其將所述第二n型晶體管和所述第四p型晶體管的頂部源極/漏極區(qū)域直接電耦合在一起，所述第一下部導(dǎo)體直接電耦合到所述第二上部導(dǎo)體；
第三下部導(dǎo)體，其將所述第一n型晶體管和所述第三p型晶體管的底部源極/漏極區(qū)域直接電耦合在一起；以及
第四上部導(dǎo)體，其將所述第二n型晶體管和所述第四p型晶體管的柵極直接電耦合在一起，所述第三下部導(dǎo)體直接電耦合到所述第四上部導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測(cè)放大器構(gòu)造，其中所述第一n型晶體管、所述第二n型晶體管、所述第三p型晶體管和所述第四p型晶體管各自是豎直的或在豎直線(xiàn)的10°內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測(cè)放大器構(gòu)造，其中所述感測(cè)放大器是基于鎖存器的感測(cè)放大器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測(cè)放大器構(gòu)造，其中所述感測(cè)放大器是差分電壓感測(cè)放大器。
5.一種感測(cè)放大器構(gòu)造，其包括：
第一n型晶體管和相對(duì)于所述第一n型晶體管在高度上向外延伸的第二n型晶體管，所述第一n型晶體管包括沿著第一柵極延伸的第一半導(dǎo)體材料柱，并且包括在高度上處于第一n型晶體管頂部n型源極/漏極區(qū)域與第一n型晶體管底部n型源極/漏極區(qū)域之間的第一溝道區(qū)域，所述第二n型晶體管包括沿著第二柵極延伸的第二半導(dǎo)體材料柱，并且包括在高度上處于第二n型晶體管頂部n型源極/漏極區(qū)域與第二n型晶體管底部n型源極/漏極區(qū)域之間的第二溝道區(qū)域；
第三p型晶體管和相對(duì)于所述第三p型晶體管在高度上向外延伸的第四p型晶體管，所述第三p型晶體管包括沿著第三柵極延伸的第三半導(dǎo)體材料柱，并且包括在高度上處于第三p型晶體管頂部p型源極/漏極區(qū)域與第三p型晶體管底部p型源極/漏極區(qū)域之間的第三溝道區(qū)域，所述第四p型晶體管包括沿著第四柵極延伸的第四半導(dǎo)體材料柱，并且包括在高度上處于第四p型晶體管頂部p型源極/漏極區(qū)域與第四p型晶體管底部p型源極/漏極區(qū)域之間的第四溝道區(qū)域；
較低電壓激活線(xiàn)，其電耦合到所述第一n型晶體管的頂部源極/漏極區(qū)域和所述第二n型晶體管的底部源極/漏極區(qū)域中的每一個(gè)；以及
較高電壓激活線(xiàn)，其電耦合到所述第三p型晶體管的頂部源極/漏極區(qū)域和所述第四p型晶體管的底部源極/漏極區(qū)域中的每一個(gè)；
第一下部導(dǎo)體，其將所述第一n型晶體管和所述第三p型晶體管的柵極直接電耦合在一起；
第二上部導(dǎo)體，其將所述第二n型晶體管和所述第四p型晶體管的頂部源極/漏極區(qū)域直接電耦合在一起，所述第一下部導(dǎo)體直接電耦合到所述第二上部導(dǎo)體；
第三下部導(dǎo)體，其將所述第一n型晶體管和所述第三p型晶體管的底部源極/漏極區(qū)域直接電耦合在一起；以及
第四上部導(dǎo)體，其將所述第二n型晶體管和所述第四p型晶體管的柵極直接電耦合在一起，所述第三下部導(dǎo)體直接電耦合到所述第四上部導(dǎo)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的感測(cè)放大器構(gòu)造，其中所述第二半導(dǎo)體材料柱處于所述第一半導(dǎo)體材料柱正上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的感測(cè)放大器構(gòu)造，其中所述較低電壓激活線(xiàn)在高度上處于所述第一n型晶體管的所述頂部源極/漏極區(qū)域與所述第二n型晶體管的所述底部源極/漏極區(qū)域之間。
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