[發明專利]感測放大器構造

有效

• 申請號: 201780033108.2
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN109196584B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: C·L·英戈爾斯;S·J·德爾納
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

一種感測放大器構造包括第一n型晶體管和在所述第一n型晶體管上方的第二n型晶體管。包含第三p型晶體管，并且第四p型晶體管在所述第三p型晶體管上方。較低電壓激活線電耦合到n型源極/漏極區域，所述n型源極/漏極區域在高度上處于所述第一n型晶體管和所述第二n型晶體管的對應柵極之間。較高電壓激活線電耦合到p型源極/漏極區域，所述p型源極/漏極區域在高度上處于所述第三p型晶體管和所述第四p型晶體管的對應柵極之間。

技術領域

本文所揭示的實施例涉及感測放大器。

背景技術

存儲器是一種類型的集成電路系統，并且用于計算機系統中以存儲數據。存儲器可以被制造成單獨存儲器單元的一個或多個陣列。存儲器單元可以使用位線(也可以被稱為數位線、數據線、感測線或數據/感測線)和接入線(也可以被稱為字線)寫入存儲器或從所述存儲器讀取。位線可以沿著陣列的列導電地將存儲器單元互連，并且接入線可以沿著陣列的行導電地將存儲器單元互連。可以通過位線和接入線的組合來唯一地對每個存儲器單元進行尋址。

存儲器單元可以是易失性的或非易失性的。非易失性存儲器單元可以存儲數據延長的時間段，包含當計算機關閉時存儲數據。易失性存儲器消散并且因此需要被刷新/重新寫入，在許多情況下每秒多次。無論如何，存儲器單元被配置成在至少兩種可選擇的不同狀態下保留或存儲存儲器。在二進制系統中，狀態被認為是“0”或“1”。在其它系統中，至少一些單獨存儲器單元可以被配置成存儲兩個以上水平或狀態的信息。

場效應晶體管是一種類型的可以用于存儲器單元中的電子部件。這些晶體管包括其間具有半導體溝道區域的一對導電源極/漏極區域。導電柵極與溝道區域相鄰并且通過薄柵極絕緣體將其分開。施加到柵極的適合的電壓允許電流從源極/漏極區域中的一個通過溝道區域流到另一個。當從柵極移除電壓時，在很大程度上防止電流流過溝道區域。場效應晶體管還可以包含附加結構，例如作為柵極絕緣體與導電柵極之間的柵極構造的一部分的可逆的可編程電荷存儲/阱區域。

與存儲器單元相關聯的一個電子部件是感測放大器。這些裝置通常與陣列內的存儲器單元的列的一或多個位線電耦合。感測放大器至少部分用于檢測存儲器單元中存儲了什么值并且報告在感測放大器的輸出端處放大的那個值。

附圖說明

圖1是示出根據本發明的實施例的感測放大器構造的非結構性圖解示意圖。

圖2是根據圖1示意圖部分和本發明的實施例的感測放大器構造的圖解垂直截面視圖。

圖3是通過圖2中的線3-3截取的截面視圖。

圖4是通過圖2中的線4-4截取的截面視圖。

圖5是通過圖2中的線5-5截取的截面視圖。

圖6是根據圖1示意圖部分和本發明的實施例的感測放大器構造的圖解垂直截面視圖。

圖7是通過圖6中的線7-7截取的截面視圖。

圖8是根據本發明的實施例的感測放大器構造的非結構性圖解示意圖。

圖9是根據本發明的實施例的感測放大器構造的非結構性圖解示意圖。

圖10是根據本發明的實施例的感測放大器構造和相關聯電路系統的非結構性圖解示意圖。

圖11是結合根據示意圖圖10和本發明的實施例的感測放大器構造的構造的圖解混合垂直截面視圖和示意圖。

圖12是結合根據示意圖圖10和本發明的實施例的感測放大器構造的構造的圖解混合垂直截面視圖和示意圖。

具體實施方式