[發明專利]貼合式SOI晶圓的制造方法

有效

• 申請號: 201780032865.8
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN109314040B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 小林徳弘;阿賀浩司
• 申請（專利權）人: 信越半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/12
• 代理公司: 北京京萬通知識產權代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

1.一種貼合式SOI晶圓的制造方法，透過絕緣膜而將皆由單晶硅所構成的接合晶圓及基底晶圓予以貼合而制造貼合式SOI晶圓，該貼合式SOI晶圓的制造方法包含：

堆積步驟，于該基底晶圓的貼合面側將多晶硅層予以堆積；

研磨步驟，將該多晶硅層的表面予以研磨而得到研磨面；

熱氧化膜形成步驟，于該研磨面形成熱氧化膜；

絕緣膜形成步驟，于該接合晶圓的貼合面形成該絕緣膜；

貼合步驟，將該絕緣膜及該熱氧化膜予以密接而將該接合晶圓及該基底晶圓予以貼合；以及

薄膜化步驟，將經貼合的該接合晶圓予以薄膜化而形成SOI層，

其中，使用電阻率為100Ω·cm以上的單晶硅晶圓作為該基底晶圓，

形成于該研磨面的該熱氧化膜的膜厚度為15nm以上，

形成于該研磨面的該熱氧化膜的表面的RMS為0.6nm以下，并且

于該貼合步驟之后所進行的熱處理的最高處理溫度為1150℃以下。

2.如權利要求1所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中將該研磨面的RMS予以為0.3nm以下，將形成于該研磨面的該熱氧化膜的膜厚度予以為25nm以下。