[發(fā)明專利]高折射率(HRI)襯底以及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780032387.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109154683A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S·H·金;S-J·金 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 沙特基礎(chǔ)工業(yè)全球技術(shù)公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B5/02 | 分類號(hào)： | G02B5/02;H01L51/50;H01L51/52;G02B1/14 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 張全信;王占洋 |
| 地址： | 荷蘭，貝*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 高折射率 無機(jī)精細(xì)顆粒 聚合物材料 制造 | ||
本公開涉及適合于包括在OLED中的高折射率襯底，所述襯底包括聚合物材料和在其中分散的無機(jī)精細(xì)顆粒，所述顆粒的大小范圍從大約1nm至大約50nm。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及用于有機(jī)發(fā)光二極管的多功能柔性襯底。
背景技術(shù)
常規(guī)上，為了從有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件中提取內(nèi)部光，其可以被捕獲(例如，內(nèi)反射)在氧化銦錫(ITO)層和襯底之間，已經(jīng)開發(fā)了某些結(jié)構(gòu)化層。OLED器件的低提取效率至少部分地歸因于空氣、襯底和有機(jī)/ITO層之間的折射率的差異。提高這種低提取效率對(duì)于照明應(yīng)用仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。已經(jīng)研究了各種技術(shù)，其可以減少OLED器件中襯底、波導(dǎo)和表面等離子體激元(SR)模式，從而提高由OLED器件的提取效率。因?yàn)樵贗TO層和襯底之間制造的層或結(jié)構(gòu)可導(dǎo)致ITO層的表面粗糙度增加，產(chǎn)生高電流泄漏和低效率，所以存在對(duì)減小ITO層和襯底之間的波導(dǎo)模式的限制。另外，這種方法需要復(fù)雜的制造工藝，導(dǎo)致高制作成本。
通過本公開的方面，解決了這些和其他缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的方面涉及高折射率(HRI)襯底，其展現(xiàn)高提取效率、柔韌性、和高透射率性能。HRI襯底包括在聚合物材料中分散的多個(gè)納米顆粒。所述顆粒的大小范圍為從1納米(nm)至50nm或從大約1nm至大約50nm、或從大于100nm至200nm或從大于100至大約200nm。
在一些方面，HRI襯底可以包括作為散射層的大小大于100nm的顆粒。包括這類顆粒的HRI襯底可以展現(xiàn)由OLED器件的較高提取效率。
一些方面涉及使用高折射率(HRI)襯底以及其用于OLED器件的各種制造方法。
在一些方面，將具有高折射率(n)(n＝1.7～2.5，或大約1.7至大約2.5)的納米顆粒(小于50nm)與聚合物粒狀物或聚合物溶液混合，然后將混合物擠出為襯底或膜層。另外，可以將大于100nm大小的顆粒混合入HRI襯底，從而用作散射層。通過該途徑，我們可以為OLED器件應(yīng)用和未來工業(yè)應(yīng)用提供具有高提取效率、柔韌性、和高透射率性能的HRI襯底。本公開還涉及包括這類柔性襯底的制品和制作這類制品和襯底的方法。
在仍其他方面，本公開涉及包括HRI襯底的OLED，制造HRI襯底的方法和制造包括HRI襯底的OLED的方法。
附圖說明
圖1顯示了高折射率襯底如何提高光提取的示意圖。
圖2呈現(xiàn)了根據(jù)折射率等級(jí)的結(jié)構(gòu)的實(shí)例的示意圖。
圖3顯示了通過原子層沉積制作的具有折射率等級(jí)的襯底的工藝示意圖。
圖4呈現(xiàn)了如何通過使用篩網(wǎng)印刷方法制造HRI膜的示意圖。
圖5呈現(xiàn)了如何通過注射工藝產(chǎn)生的工藝示意圖。納米顆粒配料比范圍從90wt.％至5％。
圖6顯示了HRI襯底上透明電極的結(jié)構(gòu)，HRI襯底的RI范圍從1.7至2.0。
圖7顯示了在HRI襯底上透明電極形成的實(shí)例的說明。氧化銦錫(ITO)、氧化錫(II)(SnO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)等金屬氧化物可以被沉積至高耐熱且高折射率襯底上。或者，可以通過強(qiáng)脈沖光燒結(jié)法涂覆和固化諸如ITO、SnO、IGZO、IZO的液體溶液的金屬氧化物。在該情況中，ULTEMTM被用于基礎(chǔ)襯底。
圖8A和8B呈現(xiàn)了集成有透明電極層的高折射率襯底的示意圖。
具體實(shí)施方式
在一些方面，制造高折射率(HRI)襯底，納米顆粒包含在聚合物襯底內(nèi)。納米顆粒(具有高折射率(n＝1.7～2.5))分散至在聚合物粒狀物或聚合物溶液或硅氧烷溶液中。然后可以使用常規(guī)技術(shù)使用該混合物制造襯底。
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