[發明專利]高折射率(HRI)襯底以及其制造方法

在審

• 申請號: 201780032387.0
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN109154683A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: S·H·金;S-J·金
• 申請（專利權）人: 沙特基礎工業全球技術公司
• 主分類號: G02B5/02
• 分類號: G02B5/02;H01L51/50;H01L51/52;G02B1/14
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 張全信;王占洋

1.適合于包括在有機發光二極管(OLED)中的高折射率襯底，所述高折射率襯底包括聚合物材料和在其中分散的納米顆粒，所述納米顆粒的大小范圍從大約1nm至大約50nm。

2.根據權利要求1所述的高折射率襯底，其中所述高折射率襯底是柔性的并且具有從大約5μm至大約250μm的范圍中的厚度。

3.根據權利要求1-2中任一項所述的高折射率襯底，其中大小多達50nm的所述納米顆粒具有從大約1.7至大約2.5的折射率(n)。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的高折射率襯底，具有從大約80％至大約95％的透射率。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的高折射率襯底，具有10-⁶g/m²天的水蒸氣透過率(WVTR)。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的高折射率襯底，其中所述聚合物材料包括聚碳酸酯或聚醚酰亞胺。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的高折射率襯底，其中所述納米顆粒包括以下中的一種或多種：氧化鋯(ZrO₂)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氮化鋁(AlN)、鈦酸鋇(BaTiO₃)、氧化鉿(HfO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鈰(CeO₂)、氧化釔(Y₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、摻銦氧化鋅(IZO)、氧化錫(SnO)以及穩定的或部分穩定的氧化鋯。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的高折射率襯底，其中相比于基本上類似的沒有所述納米顆粒的襯底，包括在其中分散的所述納米顆粒的所述高折射率襯底展現提高的儲存模量和減少的熱膨脹效率。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的高折射率襯底，其中所述高折射率襯底在紫外波長范圍中不具有光催化反應性。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的高折射率襯底，其中所述高折射率襯底具有2以下的黃色指數值。

11.根據權利要求1-10中任一項所述的高折射率襯底，進一步包括透明電極層。

12.根據權利要求1-11中任一項所述的高折射率襯底，其中通過將粘合劑涂覆至所述高折射率襯底上和通過將所述納米顆粒噴霧至所述粘合劑上實現折射率的等級。

13.根據權利要求1-12中任一項所述的高折射率襯底，進一步包括大小大于100nm的納米顆粒。

14.根據權利要求13所述的高折射率襯底，其中大小大于100nm的所述納米顆粒通過粘合劑轉移法、涂覆法或沉積法形成。

15.一種OLED，其包括陽極，磷光物質層

--根據權利要求1-14中任一項所述的高折射率襯底；

--陽極層，所述陽極被布置鄰近所述高折射率襯底；

--磷光物質層，其布置在所述陽極層上；和

--陰極層，其布置在所述磷光物質層上。

16.根據權利要求15所述的OLED，其中所述高折射率襯底是柔性的并且具有從大約5μm至大約250μm的范圍中的厚度。

17.根據權利要求15或16所述的OLED，其中所述高折射率襯底具有從大約1.7至大約2.5的折射率(n)。