[發明專利]薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201780031611.4
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN109154080B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 佐藤宏樹;山田直樹;白鳥翼;佐藤晴義
• 申請（專利權）人: 株式會社ADEKA
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;H01L21/316
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 于巧玲

一種薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R¹是表示碳原子數2～4的直鏈或分支狀的烷基，R²～R⁵各自獨立表示碳原子數1～4的直鏈或分支狀的烷基，A是表示碳原子數1～4的烷二基，M是表示鈦、鋯或鉿；但，M為鋯時，A是碳原子數3或4的烷二基。M為鈦及鉿時，A是碳原子數2或3的烷二基是優選的。M為鋯時，A是碳原子數3的烷二基是優選的。

【技術領域】

本發明涉及一種含有特定的化合物而成的薄膜形成用原料及使用 該薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。

【背景技術】

含有鈦、鋯或鉿的薄膜材料被應用于半導體、太陽能電池 (photovoltaic cell)、TFT等的用途，其中主要使用作為半導體材 料用的高介電材料。

作為上述薄膜的制造法，可舉例為濺鍍法、離子鍍敷法、涂布熱 分解法或溶凝膠法等的MOD法、化學氣相成長法等，但包含ALD (Atomic Layer Deposition)法的化學氣相成長法(以下有時也簡單 地記載為CVD)法，由于具有組成控制性、逐步包覆性優異，適于量產 化，且可以混合累積(hybrid accumulation)等的多種優點，故為最 適的制造過程。

作為化學氣相成長法所使用的金屬供給源，多數報告有各種原料。

例如在專利文獻1中，公開了作為可使用于CVD法或ALD法的材 料而使用特定的鋯配合物。另外，在專利文獻2中，公開了作為可使 用于CVD法或ALD法的材料而使用特定的金屬配合物。在專利文獻1 及專利文獻2中，未具體記載本發明的薄膜形成用原料。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]韓國專利10-1263454號

[專利文獻2]韓國公開10-2014-0078534號

【發明內容】

[發明要解決的課題]

使化學氣相成長用原料等氣化而在基材表面形成含有金屬的薄膜 時，為得到高品質的薄膜而必須在高溫下進行成膜，故要求熱穩定性 高的薄膜形成用原料。另外，可要求于寬高比(aspect ratio)為10～ 200左右的溝中可均勻地形成薄膜的薄膜形成用原料。

[用以解決課題的手段]

本發明人等重復討論的結果，發現含有特定的化合物的薄膜形成 用原料可解決上述課題，因而完成本發明。

本發明提供一種薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的 化合物而成：

[化1]

(式中，R¹是表示碳原子數2～4的直鏈或分支狀的烷基，R²～R⁵各自獨立表示碳原子數1～4的直鏈或分支狀的烷基，A是表示碳原子 數1～4的烷二基，M是表示鈦、鋯或鉿。但，M為鋯時，A是碳原子 數3或4的烷二基)。

另外，本發明提供一種薄膜的制造方法，其將含有使上述薄膜形 成用原料氣化而得到的通式(1)表示的化合物的蒸氣，導入設置有基 體的成膜腔室內，使該化合物分解及/或使其進行化學反應而在該基體 的表面形成含有選自鈦、鋯及鉿中至少1種的原子的薄膜。

[發明的效果]

依據本發明，可獲得熱穩定性高，于寬高比為10～200左右的溝 中可均勻地形成高品質的薄膜的薄膜形成用原料。本發明的薄膜形成 用原料適合作為利用CVD法的金屬薄膜形成用的原料。本發明的薄膜 形成用原料可適用于ALD法，故特別適合作為達到上述效果的ALD法 用薄膜形成用原料。