[發(fā)明專利]薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780031611.4
• 申請(qǐng)日: 2017-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109154080B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤宏樹(shù);山田直樹(shù);白鳥(niǎo)翼;佐藤晴義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社ADEKA
• 主分類號(hào): C23C16/40
• 分類號(hào): C23C16/40;H01L21/316
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 于巧玲

1.一種薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：

[化1]

式中，R¹是表示碳原子數(shù)2～4的直鏈或分支狀的烷基，R²～R⁵各自獨(dú)立表示碳原子數(shù)1～4的直鏈或分支狀的烷基，A是表示丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基，M是表示鈦、鋯或鉿。

2.如權(quán)利要求1的薄膜形成用原料，其是ALD法用薄膜形成用原料。

3.如權(quán)利要求1或2的薄膜形成用原料，其用于在寬高比為10～200的溝上形成薄膜。

4.一種薄膜的制造方法，其將含有使如權(quán)利要求1或2的薄膜形成用原料氣化而得到的通式(1)表示的化合物的蒸氣，導(dǎo)入設(shè)置有基體的成膜腔室內(nèi)，使該化合物分解及/或使其進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)而在該基體的表面形成含有選自鈦、鋯及鉿中至少1種的原子的薄膜。

5.如權(quán)利要求4的薄膜的制造方法，其中，在前述基體上形成寬高比為10～200的溝。