[發(fā)明專利]坩堝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780031329.6
• 申請日: 2017-05-30
• 公開（公告）號: CN109312490A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 木崎隆康
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: C30B15/10
• 分類號: C30B15/10;B23K9/00;C30B29/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張毅群

提供一種坩堝(10)，其特征在于，以銥或鉑為主成分，具有底部(1)和筒狀部(2)，該筒狀部(2)包含多個部位，各部位彼此相鄰的位置具備第1厚壁部(3a)。同時提供一種坩堝(15)，其特征在于，以銥或鉑為主成分，具有底部(1)和筒狀部(2)，該筒狀部(2)包含多個部位，各部位彼此相鄰的位置具備環(huán)狀的第1焊接部(30)。

技術領域

本申請涉及單晶培育裝置所使用的坩堝。

背景技術

作為基于垂直布里奇曼(VB)法、開羅多孔(KY)法、CZ(佐克拉斯基)法等的單晶培育裝置用的坩堝，使用金屬制的坩堝。特別是在藍寶石(單晶氧化鋁)等高熔點材料的單晶培育中，已知由銥、鉬、鎢和以它們?yōu)橹鞒煞值暮辖鹦纬傻嫩釄?例如，參照日本特開2010-52993號公報)。

作為坩堝的制造方法，日本特開平5-148074號公報和日本特開2006-205200號公報中公開了將成為側部的矩形板設為圓筒形狀，并通過焊接接合于成為底部的圓形板的方法。

單晶培育用的坩堝因熔液凝固時的體積變化、坩堝與固化物的熱膨脹率的差等而導致坩堝易于變形。若坩堝發(fā)生變形，則成為坩堝均熱化的妨礙，或干擾周圍的構件，最壞的情況是坩堝發(fā)生破損。

需要說明的是，坩堝被熔液氧化(變質)易于導致固化時的破損。因此，從氧化的觀點出發(fā)，相比于鉬、鎢等，銥、鉑為佳。然而，所述銥、鉑為昂貴的材料，因此為了應對購入成本，必須是能夠耐受重復使用的材料。另外，為了應對目前的為了提高量產性而進行的培育單晶的大型化，坩堝也不斷大型化，但由于大型化的坩堝的局部熱分布差、應力分布差變大，進而需要其難以變形。另外，銥、鉑為主成分的大型化的坩堝更加昂貴，因此必須能耐受多次使用。

發(fā)明內容

本申請的坩堝以銥或鉑為主成分，具有底部和筒狀部。該筒狀部包含多個部位，各部位彼此相鄰的位置具備環(huán)狀的厚壁部。

另外，另一方案的坩堝以銥或鉑為主成分，具有底部和筒狀部。該筒狀部包含多個部位，各部位彼此相鄰的位置具備環(huán)狀的第1焊接部。

附圖說明

圖1是示出本申請的坩堝的一個實施方式的截面圖。

圖2是示出本申請的坩堝的另一實施方式的截面圖。

圖3是示出本申請的坩堝的另一實施方式的截面圖。

圖4是示出本申請的坩堝的另一實施方式的截面圖。

圖5是示出本申請的坩堝的另一實施方式的截面圖。

圖6是示出本申請的坩堝的另一實施方式的截面圖。

圖7是示出本申請的坩堝的另一實施方式的截面圖。

圖8是示出本申請的坩堝的另一實施方式的截面圖。

具體實施方式

對于本實施方式的坩堝10，一邊參照附圖一邊進行說明。圖1～4是示出本實施方式的多個例子的截面圖。

坩堝10包含銥或鉑而成，具有底部1和筒狀部2。筒狀部2包含多個部位，各部位彼此相鄰的位置具備環(huán)狀的厚壁部3。單晶培育所使用的坩堝10為底部1的直徑(Φ)和高度為約100mm以上的較大型的坩堝。筒狀部2具備第1部位2a和第2部位2b而構成。圖1所示的坩堝10具有：底部1、與底部1連接的第1部位2a、與第1部位2a連接的第2部位2b、和在第1部位2a與第2部位2b彼此相鄰的位置的環(huán)狀的第1厚壁部3a。第1厚壁部3a的壁厚較大，起到所謂的加強環(huán)的作用。具有第1厚壁部3a的坩堝10難以變形。

本實施方式的第1厚壁部3a和后述的各厚壁部通過將構成坩堝10的多個部位進行焊接而形成。各圖中，對于通過焊接而形成的部分，用與筒狀部2不同粗細的(粗)斜線陰影線表示。