[發明專利]旋轉臺用晶片加熱保持機構及方法和晶片旋轉保持裝置

在審

• 申請號: 201780031237.8
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN109155273A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 吉田修;田村正樹;永井秀彰
• 申請（專利權）人: 三益半導體工業株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/027;H01L21/304
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 高穎

本發明提供一種旋轉臺用晶片加熱保持機構、旋轉臺用晶片加熱方法以及晶片旋轉保持裝置，能夠在維持放置于旋轉臺的晶片的面內溫度分布的狀態下穩定地進行旋轉，同時對晶片進行加熱。一種晶片旋轉保持裝置的旋轉臺用晶片加熱保持機構，具有：旋轉軸；旋轉臺，載置于所述旋轉軸的前端且在上表面保持晶片；驅動馬達，向所述旋轉軸供給動力；和加熱單元，以與所述晶片非接觸的非接觸狀態設置在所述旋轉臺上且所述晶片的下部，用于對所述晶片進行加熱。

技術領域

本發明涉及晶片旋轉保持裝置中的旋轉臺用晶片加熱保持機構及方法和晶片旋轉保持裝置。

背景技術

以往，在半導體制造工序中，如旋轉蝕刻、旋轉干燥、旋涂等那樣在使硅等半導體晶片旋轉的同時進行各種處理的工序(也稱為旋轉工藝)正在增加。作為具體的裝置，已知旋轉蝕刻裝置、旋轉干燥裝置、旋涂裝置等晶片旋轉保持裝置。除此以外，作為設備的制造工序中的晶片表面的處理，除了用于除去背面磨削后的損傷層的蝕刻處理之外，還能夠舉出顯影液對晶片的涂敷、在將電路圖案曝光后的晶片表面涂敷顯影液并將半導體電路燒制到該涂敷了顯影液的晶片后得到的制品的顯影處理、晶片表面的清洗等。作為用于對這樣的晶片進行旋轉處理的晶片旋轉保持裝置和方法，例如有專利文獻1～4所記載的裝置和方法。

作為現有的針對放置于旋轉處理中的旋轉臺的晶片基座的加熱方法，使用如下方法：通過加熱單元使蝕刻液等處理液進行升溫來保持旋轉蝕刻處理點處的晶片溫度。此外，專利文獻1公開了如下方法：通過設置于晶片的側上方的空氣熱噴射單元等加熱單元，使用暖風間接地對被旋轉臺上表面支承固定的晶片的上表面進行加熱。然而，這些現有方法的效率差，晶片基板的加熱精度也變差，因此觀察到蝕刻分布具有不穩定的傾向。進而，為了抑制藥液溫度帶來的影響和藥液向背面側蔓延而進行吹風，并且為了除去藥液的氣氛而進行排氣，由于上述吹風以及排氣等的影響，無法進行穩定的處理。此外，雖然存在可能對所有因素取平衡，但是很難使平衡得到維持。例如，為了利用HF50％的蝕刻液快速地除去SiO₂，在使HF的溫度上升至約40℃來進行處理的情況下，存在如下問題：僅通過不進行處理而維持溫度，HF會蒸發而使濃度降低，從而會導致處理時間延長。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第4625495號

專利文獻2：日本專利第4111479號

專利文獻3：日本專利第4257816號

專利文獻4：日本專利第4364242號

發明內容

發明要解決的課題

本發明是鑒于上述現有技術而完成的，其目的在于提供一種旋轉臺用晶片加熱保持機構、旋轉臺用晶片加熱方法以及晶片旋轉保持裝置，能夠在維持放置于旋轉臺的晶片的面內溫度分布的狀態下穩定地進行旋轉，同時對晶片進行加熱。

用于解決課題的手段

為了解決上述技術問題，本發明的旋轉臺用晶片加熱保持機構是晶片旋轉保持裝置的旋轉臺用晶片加熱保持機構，其具有：旋轉軸；旋轉臺，載置于所述旋轉軸的前端且在上表面保持晶片；驅動馬達，向所述旋轉軸供給動力；和加熱單元，以與所述晶片非接觸的非接觸狀態設置在所述旋轉臺上且所述晶片的下部，用于對所述晶片進行加熱。

優選地，在所述旋轉臺與所述加熱單元之間設置反射板。

對所述加熱單元供給電力的方法沒有特別限制，但優選地，使用包含固定側初級線圈、電力供給源、旋轉臺側次級線圈、和負載的旋轉臺用非接觸電力供給機構，通過電磁感應經由所述次級線圈向所述加熱單元供給電力，其中，所述固定側初級線圈卷繞在所述旋轉軸的周圍，所述電力供給源與所述固定側初級線圈連接，所述旋轉臺側次級線圈與所述固定側初級線圈對應地隔開規定距離而設置且安裝于所述旋轉臺，所述負載與所述旋轉臺側次級線圈連接。