[發(fā)明專利]用于合成氧化鋅(ZnO)的方法和/或系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780031214.7 | 申請日: | 2017-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN109415809B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 雅各布·J·理查森;埃萬·C·奧哈拉 | 申請(專利權(quán))人: | 首爾半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C18/06;C23C14/08;H01L21/02;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 合成 氧化鋅 zno 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種設(shè)備,其包括:晶片襯底固持器;流體可密封腔室外殼;和可編程閉合流體處理系統(tǒng);
所述腔室外殼具有類圓柱形形狀和大小被設(shè)定為收納和包封所述晶片襯底固持器的腔;
所述腔室外殼用于加熱也包封在所述腔室外殼腔內(nèi)的氧化鋅形成生長溶液;
所述晶片襯底固持器用于以相對牢固地定位至少一個晶片襯底的方式收納在所述腔室外殼內(nèi),使得所述至少一個晶片襯底的平坦表面大體上互相平行于所述腔室外殼的平坦端部;以及
驅(qū)動機(jī)構(gòu),其用于在被包封在所述腔室外殼腔內(nèi)時以混合所述生長溶液的方式接合所述腔室外殼和/或所述晶片襯底固持器,
其中用于在被包封在所述腔室外殼腔內(nèi)時以混合所述生長溶液的方式接合所述腔室外殼和/或所述晶片襯底固持器的驅(qū)動機(jī)構(gòu)包括用于接合所述腔室外殼和/或所述晶片襯底固持器以便經(jīng)由所述腔室外殼與所述晶片襯底固持器之間的相對旋轉(zhuǎn)來混合所述生長溶液的驅(qū)動機(jī)構(gòu),
其中所述晶片襯底固持器和/或所述腔室外殼以其中一個相對于另一個圍繞大致上垂直于所述至少一個晶片襯底的所述平坦表面并且大致上穿過所述至少一個晶片襯底的中心的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)的方式旋轉(zhuǎn),
其中所述晶片襯底固持器和/或所述腔室外殼以一個相對于另一個的方式并且以相對速度旋轉(zhuǎn),以便在生長合成期間產(chǎn)生相對均勻溫度生長溶液并且以便經(jīng)由因旋轉(zhuǎn)運(yùn)動造成的動作來持續(xù)混合所述生長溶液,且
其中可編程閉合流體處理系統(tǒng)包括具有流體線、流體閥、一或多個工藝參數(shù)傳感器、一或多個壓力容器、一或多個流體泵、一或多個流體源和/或一或多個流體排放口的互連網(wǎng)絡(luò),所述互連網(wǎng)絡(luò)通過連接到至少一個入口并連接到至少一個出口來連接到所述腔室外殼,其中所述可編程閉合流體處理系統(tǒng)經(jīng)編程以用所述生長溶液完全填充未加壓的腔室外殼并且在填充之后加壓容納所述生長溶液的所述腔室外殼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述晶片襯底固持器包括以下結(jié)構(gòu):其中所述晶片襯底固持器將被定位在所述腔室外殼內(nèi)的方式使得在旋轉(zhuǎn)期間,所述生長溶液能夠在所述腔室外殼內(nèi)流動以便接觸所述至少一個晶片襯底的所述平坦表面并且在至少一個晶片周圍以及對于所述晶片襯底固持器中的多于一個晶片襯底而言在所述晶片襯底之間以與所選工藝參數(shù)的相對低溫水溶液生長工藝制定一致的方式流動。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述晶片襯底固持器用于經(jīng)由驅(qū)動臂連接器或驅(qū)動臂轉(zhuǎn)子來接合所述驅(qū)動機(jī)構(gòu),所述驅(qū)動臂連接器或所述驅(qū)動臂轉(zhuǎn)子被構(gòu)建為在驅(qū)動操作期間配合所述晶片襯底固持器,使得所述晶片襯底固持器能夠在所述腔室外殼保持靜止時旋轉(zhuǎn)并且能夠脫離接合以便允許所述晶片襯底固持器從所述腔室外殼移除。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中所述驅(qū)動臂連接器或所述驅(qū)動臂轉(zhuǎn)子連接到機(jī)械驅(qū)動電機(jī)以使驅(qū)動臂旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述晶片襯底固持器和/或所述腔室外殼用于接合包括磁性驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動機(jī)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述至少一個晶片襯底用于經(jīng)由用于配合所述至少一個晶片襯底的邊緣的幾何特征來相對牢固地固持就位在所述晶片襯底固持器中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中所述幾何特征包括凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中所述至少一個晶片襯底包括相對牢固地定位在所述晶片襯底固持器中的兩個或兩個以上晶片襯底,使得所述兩個或兩個以上晶片襯底大體上互相平行并且大體上互相平行于所述腔室外殼的所述平坦端部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中生長溶液用于經(jīng)由一或多個所述入口收納在所述腔室外殼中并且生長溶液用于經(jīng)由一或多個所述出口從所述腔室外殼排出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中抵抗因暴露于生長溶液所致的腐蝕和/或抵抗污染所述生長溶液的材料形成所述腔室外殼和所述晶片襯底固持器。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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