[發明專利]多列型半導體裝置用布線構件及其制造方法

有效

• 申請號: 201780031005.2
• 申請日: 2017-01-27
• 公開（公告）號: CN109314089B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 菱木薫;飯谷一則
• 申請（專利權）人: 大口電材株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/50
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種多列型半導體裝置用布線構件，其特征在于，

該多列型半導體裝置用布線構件是半導體裝置用布線構件呈矩陣狀排列而成的，該半導體裝置用布線構件在樹脂層的一側的面上的規定部位以使下表面暴露于該樹脂層的一側的面的狀態形成有成為內部端子的第1鍍層，并形成有與所述第1鍍層相連接的成為布線部的鍍層，并且在所述成為布線部的鍍層之上以使上表面自所述樹脂層的另一側的面暴露的狀態在該成為布線部的鍍層的區域內局部地形成有成為外部端子的第2鍍層，構成所述內部端子、所述布線部以及所述外部端子的鍍層的層疊體的側面形狀形成為大致L字形狀或大致T字形狀，

在所述樹脂層的一側的面上的、各個所述半導體裝置用布線構件呈矩陣狀排列而成的半導體裝置用布線構件的集合體的外周區域形成有金屬框部，該金屬框部以其上表面的整個區域與該樹脂層接觸的狀態形成。

2.根據權利要求1所述的多列型半導體裝置用布線構件，其特征在于，

所述成為布線部的鍍層以與所述第1鍍層相同的形狀形成在該第1鍍層之上。

3.根據權利要求1或2所述的多列型半導體裝置用布線構件，其特征在于，

在所述第1鍍層之上形成的所述成為布線部的鍍層的上表面是粗化面。

4.根據權利要求1或2所述的多列型半導體裝置用布線構件，其特征在于，

所述第1鍍層所暴露的所述樹脂層的一側的面是粗糙面。

5.一種多列型半導體裝置用布線構件的制造方法，該多列型半導體裝置用布線構件是半導體裝置用布線構件呈矩陣狀排列而成的，該多列型半導體裝置用布線構件的制造方法的特征在于，包括以下工序：

在金屬板的另一側的面形成具有以圖案A形成的開口部的第1抗蝕劑掩模，且在所述金屬板的一側的面上形成在半導體裝置用布線構件的集合體的外周區域具有自該半導體裝置用布線構件的集合體的邊緣部起規定寬度的開口部的第1抗蝕劑掩模；

在以所述圖案A形成的開口部形成成為內部端子的第1鍍層和與所述第1鍍層相連接的成為布線部的鍍層，且在該開口部形成成為金屬框部形成用抗蝕劑的鍍層；

剝離形成于所述金屬板的兩面的所述第1抗蝕劑掩模；

在所述金屬板的另一側的面形成具有以圖案B形成的開口部的第2抗蝕劑掩模，且在所述金屬板的一側形成覆蓋整面的第2抗蝕劑掩模，該具有以圖案B形成的開口部的第2抗蝕劑掩模在所述成為布線部的鍍層的區域內使所述成為布線部的鍍層的一部分暴露；

在以所述圖案B形成的開口部形成成為外部端子的第2鍍層；

剝離在所述金屬板的兩面形成的所述第2抗蝕劑掩模；

在所述金屬板的上表面中的整個暴露區域和所述成為布線部的鍍層的未形成有所述第2鍍層的部位之上以使該第2鍍層的上表面暴露的方式形成樹脂層；以及

將所述金屬板的未被在所述半導體裝置用布線構件的集合體的外周區域形成的所述成為金屬框部形成用抗蝕劑的鍍層覆蓋的部位的金屬去除。

6.根據權利要求5所述的多列型半導體裝置用布線構件的制造方法，其特征在于，

所述成為布線部的鍍層以與所述第1鍍層相同的形狀形成在該第1鍍層之上。

7.根據權利要求5或6所述的多列型半導體裝置用布線構件的制造方法，其特征在于，

在形成所述成為布線部的鍍層之后且在形成所述第2抗蝕劑掩模之前，對所述成為布線部的鍍層的上表面實施粗化處理或使所述成為布線部的鍍層形成為粗化鍍層。

8.根據權利要求5所述的多列型半導體裝置用布線構件的制造方法，其特征在于，

該多列型半導體裝置用布線構件的制造方法包含以下工序：在剝離形成于所述金屬板的兩面的所述第1抗蝕劑掩模之后，將形成于所述金屬板的所述成為布線部的鍍層作為掩模對所述金屬板表面進行粗化處理。