[發明專利]圓盤狀玻璃及其制造方法

有效

• 申請號: 201780030929.0
• 申請日: 2017-06-15
• 公開（公告）號: CN109153594B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 簑口裕正;寺井秀孝
• 申請（專利權）人: 日本電氣硝子株式會社
• 主分類號: C03B32/00
• 分類號: C03B32/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

本發明的圓盤狀玻璃的制造方法包括：熱處理工序，在該熱處理工序中，在將玻璃板從室溫加熱至在退火點?50℃～退火點+80℃的范圍內預先設定的峰值溫度之后對該玻璃板進行冷卻；以及圓形切斷工序，在該圓形切斷工序中，從玻璃板切出圓盤狀玻璃。在本發明的圓盤狀玻璃的制造方法中，熱處理工序優選包括：升溫步驟，在該升溫步驟中，以+1℃/min～+16℃/min的速度從室溫升溫至所述峰值溫度；保持步驟，在該保持步驟中，在所述升溫步驟之后，以所述峰值溫度?10℃～所述峰值溫度的范圍內的保持溫度保持0～120分鐘；以及降溫步驟，在該降溫步驟中，在所述保持步驟之后，在從所述保持溫度至所述玻璃板的應變點?50℃為止的溫度區域內以?6.0℃/min～?0.3℃/min的速度進行降溫。

技術領域

本發明涉及圓盤狀玻璃及其制造方法，具體來說，涉及在半導體封裝的制造工序中用于支承加工基板的圓盤狀玻璃及其制造方法。

背景技術

在半導體的制造工序中，作為支承半導體基板的構件而使用圓盤狀的半導體支承用玻璃基板。半導體支承用玻璃基板為了穩定地支承半導體基板而謀求較高的平坦性。相對于這樣的要求，開發出對主平面進行研磨加工而提高半導體支承用玻璃基板的平坦度的技術(例如專利文獻1)。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2014-517805號公報

發明內容

發明要解決的課題

然而，僅進行研磨難以充分提高玻璃基板的平坦度。具體來說，在預先成形得較薄的玻璃板中可研磨的余地小，難以充分地平坦化。另外，在對成形得比較厚的玻璃板進行研磨的情況下，研磨量增多，因此存在制造成本大幅增大的問題。

本發明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種具有較高的平坦度的圓盤狀玻璃以及能夠容易獲得該圓盤狀玻璃的制造方法。

解決方案

本發明的圓盤狀玻璃的制造方法的特征在于，包括：熱處理工序，在該熱處理工序中，在將玻璃板從室溫加熱至在退火點-50℃～退火點+80℃的范圍內預先設定的峰值溫度之后對該玻璃板進行冷卻；以及圓形切斷工序，在該圓形切斷工序中，從玻璃板切出圓盤狀玻璃。

在本發明的圓盤狀玻璃的制造方法中，優選的是，熱處理工序包括：升溫步驟，在該升溫步驟中，以+1℃/min～+16℃/min的速度從室溫升溫至峰值溫度；保持步驟，在該保持步驟中，在升溫步驟之后，以峰值溫度-10℃～峰值溫度的范圍內的保持溫度保持0～120分鐘；以及降溫步驟，在該降溫步驟中，在保持步驟之后，在從保持溫度至玻璃板的應變點-50℃為止的溫度區域以-6.0℃/min～-0.3℃/min的速度進行降溫。

在本發明的圓盤狀玻璃的制造方法中，優選的是，降溫步驟包括：第一降溫步驟，在該第一降溫步驟中，在從保持溫度至玻璃板的應變點-50℃為止的溫度區域以-3.0℃/min～-0.3℃/min的速度進行降溫；以及第二降溫步驟，在該第二降溫步驟中，在應變點-50℃以下的溫度區域以-5.8℃/min～-1.1℃/min的速度進行降溫。

在本發明的圓盤狀玻璃的制造方法中，優選的是，在熱處理工序中，在沿板玻璃的板厚方向施加負載的狀態下進行熱處理。

在本發明的圓盤狀玻璃的制造方法中，優選的是，將多個玻璃板以相互間夾有脫模件的方式層疊，在最上層載置有擠壓構件的狀態下進行熱處理工序的熱處理。

在本發明的圓盤狀玻璃的制造方法中，優選的是，在多個玻璃板的最下層還配置支承構件，使擠壓構件以及支承構件各自的與玻璃板接觸的接觸面大于玻璃板的主表面。這里所謂的玻璃板的主表面是指，玻璃板的沿厚度方向對置的表面。