[發明專利]存儲器單元及存儲器陣列有效
| 申請號: | 201780029593.6 | 申請日: | 2017-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN109155310B | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發明(設計)人: | 蘇拉吉·J·馬修;克里斯·K·布朗;拉古納特·辛噶納馬拉;維納伊·奈爾;福阿德·艾哈邁德;法蒂瑪·雅遜·席賽克-艾吉;迪姆·提·N·德蘭 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H10B12/00 | 分類號: | H10B12/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 單元 陣列 | ||
1.一種存儲器陣列,其包括:
兩個存儲器單元,其沿橫截面彼此相鄰;所述兩個存儲器單元是第一存儲器單元及第二存儲器單元;所述第一存儲器單元包括第一三晶體管一電容器3T-1C配置的三個晶體管及電容器;所述第一存儲器單元的所述三個晶體管為第一晶體管、第二晶體管及第三晶體管,且所述第一存儲器單元的所述電容器為第一電容器;所述第二存儲器單元包括第二三晶體管一電容器3T-1C配置的三個晶體管及電容器;所述第二存儲器單元的所述三個晶體管為第四晶體管、第五晶體管及第六晶體管,且所述第二存儲器單元的所述電容器為第二電容器;所述第一、第二、第三、第四、第五及第六晶體管分別具有第一、第二、第三、第四、第五及第六晶體管柵極;
所述第一及第四晶體管柵極延伸到半導體基底中;所述第一晶體管柵極與第一寫入字線耦合,且所述第四晶體管柵極與第二寫入字線耦合;
寫入位線WBL,其在所述半導體基底上方并沿所述橫截面在所述第一及第四晶體管柵極之間;
第一電容器,其所述沿橫截面在所述第一晶體管柵極的與所述WBL相對的側上,且第二電容器沿所述橫截面在所述第四晶體管柵極的與所述WBL相對的側上;所述第一晶體管柵極門控耦合所述第一電容器與所述WBL,且所述第四晶體管柵極門控耦合所述第二電容器與所述WBL;
第一延伸部,其將所述第一電容器的節點耦合到所述第二晶體管柵極;及第二延伸部,其將所述第二電容器的節點耦合到所述第五晶體管柵極;所述第一及第二延伸部通過介入區彼此間隔開;所述第一延伸部包含所述第一電容器之上的第一肘部,且所述第二延伸部包括所述第二電容器之上的第二肘部;所述第一肘部沿垂直行進通過所述WBL中心的平面大體上是所述第二肘部的鏡像;
導電材料軌道,其與公共板CP電壓耦合;所述軌道在所述第二及第五晶體管柵極下方;
第一半導體柱,其從所述軌道的頂部延伸到讀取位線RBL的底部,其中所述第二晶體管柵極鄰近所述第一半導體柱;第二半導體柱,其從所述軌道的頂部延伸到所述RBL的所述底部,其中所述第五晶體管柵極鄰近所述第二半導體柱;
所述第三晶體管柵極在所述第二晶體管柵極之上并鄰近所述第一半導體柱;且所述第六晶體管柵極在所述第五晶體管柵極之上并鄰近所述第二半導體柱;所述第三晶體管柵極與第一讀取字線耦合,且所述第六晶體管柵極與第二讀取字線耦合;
所述第三晶體管柵極門控耦合所述RBL與所述第二及第三晶體管柵極之間的所述第一半導體柱的區,且所述第二晶體管柵極門控耦合所述軌道的所述CP電壓與所述第二及第三晶體管柵極之間的所述第一半導體柱的所述區;及
所述第六晶體管柵極門控耦合所述RBL與所述第五及第六晶體管柵極之間的所述第二半導體柱的區,且所述第五晶體管柵極門控耦合所述軌道的所述CP電壓與所述第五及第六晶體管柵極之間的所述第二半導體柱的所述區。
2.根據權利要求1所述的存儲器陣列,其中所述第一及所述第二電容器延伸到所述半導體基底中。
3.根據權利要求1所述的存儲器陣列,其中所述第一及第二電容器向下延伸到所述第一及第四晶體管柵極之下。
4.根據權利要求1所述的存儲器陣列,其中所述第一及第二電容器在所述半導體基底上方。
5.根據權利要求1所述的存儲器陣列,其中所述軌道直接抵靠所述第一及第二電容器的外節點。
6.根據權利要求1所述的存儲器陣列,其中所述軌道不直接抵靠所述第一及第二電容器的外節點。
7.一種存儲器單元,其包括:
第一、第二及第三晶體管,其中所述第三晶體管在第二晶體管之上,且其中所述第二及第三晶體管在所述第一晶體管之上;所述第一晶體管具有第一及第二源極/漏極區,所述第二晶體管具有第三及第四源極/漏極區,且所述第三晶體管具有第五及第六源極/漏極區;其中所述存儲器單元包含延伸通過所述第二及第三晶體管的半導體材料柱,并且其中所述半導體材料柱包含所述第三、第四、第五及第六源極/漏極區以及所述第二及第三晶體管的溝道區;
第一位線,其在所述第二晶體管下方并與所述第一源極/漏極區電耦合;
第二位線,其在所述第三晶體管之上并與所述第六源極/漏極區電耦合;
電容器,其與所述第二源極/漏極區電耦合并與所述第二晶體管的柵極電耦合;及
其中所述電容器在所述第二晶體管的溝道區與所述第二晶體管的所述柵極之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于美光科技公司,未經美光科技公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780029593.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:具有背側集成式電感組件的半導體裸片
- 下一篇:存儲器單元及存儲器陣列





