[發明專利]雙極半導體可控整流器在審

申請號：	201780028526.2	申請日：	2017-04-03
公開（公告）號：	CN109075188A	公開（公告）日：	2018-12-21
發明（設計）人：	A·C·阿帕索瓦米;S·菲利普斯	申請（專利權）人：	德州儀器公司
主分類號：	H01L29/06	分類號：	H01L29/06
代理公司：	北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287	代理人：	林斯凱
地址：	美國德***	國省代碼：	美國;US
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摘要：
搜索關鍵詞：	沉降區基極區陽極區集電極區半導體可控整流器雙極發射極區高電壓延伸部延伸
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【說明書】：

在所描述的實例中，高電壓雙極半導體可控整流器SCR(100)包含：發射極區(102)，其具有第一極性且上覆于具有不同于所述第一極性的第二極性的基極區(104)；集電極區(106、108)，其具有所述第一極性且處于所述基極區(104)之下；陽極區(114、116、120)，其具有所述第二極性；第一沉降區(118)，其具有所述第一極性且接觸所述集電極區(106、108)，其中所述陽極區(114、116、120)在所述第一沉降區(118)與所述基極區(104)之間；以及第二沉降區(112)，其具有所述第一極性且接觸所述集電極區(106、108、110)，所述第二沉降區(112)處于所述陽極區(114、116、120)與所述基極區(104)之間，其中所述陽極區(114、116、120)的延伸部(120)在所述第二沉降區(112)的部分之下延伸。

技術領域

這大體上涉及一種集成電路設計，且更具體地說，涉及實施用于靜電放電保護電路的基于雙極的半導體可控整流器。

背景技術

集成電路容易受到來自常見環境源的靜電放電的損害，且當受到高于其預期電壓供應的電壓時可能被毀壞。靜電放電(ESD)保護電路用于無害地從ESD事件中釋放電流，可硅控整流器(SCR)在小區域內提供有效的解決方案。然而，對于高電壓管腳的SCR的設計仍存在問題。缺乏關于用于高壓管腳的低泄漏、低電容基于雙極的SCR的解決方案。基于非SCR的解決方案效率低下，而現有SCR設計由于穿通問題而遭受高泄漏困擾。

發明內容

在所描述的高電壓雙極半導體可控整流器(SCR)的實例中，SCR包含：發射極區，其具有第一極性且上覆于具有不同于第一極性的第二極性的基極區；集電極區，其具有第一極性且處于基極區之下；陽極區，其具有第二極性；第一沉降區，其具有第一極性且接觸集電極區，其中陽極區在第一沉降區與基極區之間；以及第二沉降區，其具有第一極性且接觸集電極區，第二沉降區處于陽極區與基極區之間，其中陽極區的延伸部在第二沉降區的部分之下延伸。

附圖說明

圖1描繪根據實施例的SCR的截面視圖。

圖2描繪圖1的SCR的電流-電壓圖。

圖3描繪根據實施例的SCR的截面視圖。

圖4描繪根據實施例的SCR的截面視圖。

圖5描繪根據實施例的圖1的SCR的平面視圖。

圖6描繪根據實施例的圖1的SCR的平面視圖。

圖7描繪根據實施例的圖1的SCR的平面視圖。

圖8描繪根據實施例的圖1的SCR的平面視圖。

圖9描繪常規的雙極SCR的實例實施例。

具體實施方式

在圖式中，相似參考指示類似元件。對此描述中的“一”或“一個”實施例的參考未必是參考同一實施例，且此類參考可意指至少一個。另外，如果結合實施例描述特定特征、結構或特性，那么結合其它實施例描述此類特征、結構或特性，無論是否明確描述。