[發(fā)明專利]雙極半導(dǎo)體可控整流器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780028526.2 | 申請日： | 2017-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN109075188A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·C·阿帕索瓦米;S·菲利普斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 德州儀器公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 沉降區(qū) 基極區(qū) 陽極區(qū) 集電極區(qū) 半導(dǎo)體可控整流器 雙極 發(fā)射極區(qū) 高電壓 延伸部 延伸 | ||
1.一種高電壓雙極半導(dǎo)體可控整流器SCR，其包括：
發(fā)射極區(qū)，其具有第一極性且上覆于具有不同于所述第一極性的第二極性的基極區(qū)；
集電極區(qū)，其具有所述第一極性且處于所述基極區(qū)之下；
陽極區(qū)，其具有所述第二極性；
第一沉降區(qū)，其具有所述第一極性且接觸所述集電極區(qū)，其中所述陽極區(qū)在所述第一沉降區(qū)與所述基極區(qū)之間；以及
第二沉降區(qū)，其具有所述第一極性且接觸所述集電極區(qū)，所述第二沉降區(qū)處于所述陽極區(qū)與所述基極區(qū)之間，其中所述陽極區(qū)的延伸部在所述第二沉降區(qū)的部分之下延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓雙極SCR，其進(jìn)一步包括第一金屬化物，所述第一金屬化物使所述陽極區(qū)與所述第一沉降區(qū)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高電壓雙極SCR，其進(jìn)一步包括第二金屬化物，所述第二金屬化物接觸所述第二沉降區(qū)且具有浮動電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高電壓雙極SCR，其進(jìn)一步包括接觸所述第二沉降區(qū)的第二金屬化物，其中所述第二金屬化物可切換地連接到所述第一金屬化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高電壓雙極SCR，其進(jìn)一步包括淺溝槽隔離，其處于所述陽極區(qū)與所述第一沉降區(qū)和所述第二沉降區(qū)中的每一個(gè)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高電壓雙極SCR，其進(jìn)一步包括環(huán)繞所述高電壓雙極SCR的深溝槽隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高電壓雙極SCR，其中所述淺溝槽隔離使所述SCR與所述深溝槽隔離分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高電壓雙極SCR，其中所述淺溝槽隔離使所述第一沉降、所述陽極區(qū)和所述基極區(qū)與所述深溝槽隔離分離，且所述第二沉降區(qū)接觸所述深溝槽隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高電壓雙極SCR，其中所述淺溝槽隔離使所述第一沉降和所述陽極區(qū)與所述深溝槽隔離分離，且所述第二沉降區(qū)側(cè)向延伸以環(huán)繞含有所述發(fā)射極區(qū)和所述基極區(qū)的區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高電壓雙極SCR，其中所述第二沉降區(qū)側(cè)向延伸以環(huán)繞含有所述發(fā)射極區(qū)和所述基極區(qū)的區(qū)，所述陽極區(qū)側(cè)向延伸以環(huán)繞所述第二沉降區(qū)且所述第一沉降區(qū)側(cè)向延伸以環(huán)繞所述陽極區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高電壓雙極SCR，其中所述高電壓雙極SCR在所述深溝槽隔離內(nèi)多次重復(fù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓雙極SCR，其中所述第一極性是n型且所述第二極性是p型。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高電壓雙極SCR，其中所述高電壓雙極半導(dǎo)體可控整流器是可硅控整流器。
14.一種高電壓雙極半導(dǎo)體可控整流器SCR，其包括：
發(fā)射極區(qū)，其具有第一極性且上覆于具有不同于所述第一極性的第二極性的基極區(qū)；
集電極區(qū)，其具有所述第一極性且處于所述基極區(qū)之下；
外延層，其具有所述第一極性且處于所述集電極區(qū)之下；
埋層，其具有所述第一極性且處于所述外延層之下；
陽極區(qū)，其具有所述第二極性且包括源極/汲極植入、深阱植入和埋層延伸植入，所述埋層延伸植入接觸所述外延層；
第一沉降區(qū)，其具有所述第一極性且包括源極/汲極植入、深阱植入和埋層延伸植入，其中所述陽極區(qū)在所述第一沉降區(qū)與所述基極區(qū)之間；以及
第二沉降區(qū)，其具有所述第一極性且包括源極/汲極植入和深阱植入，以及埋層延伸植入，其中所述陽極區(qū)的所述埋層延伸植入在所述第二沉降區(qū)的部分下延伸。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
