[發(fā)明專利]成膜裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780028371.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109075040B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 原島正幸;小林洋克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/205 | 分類號(hào): | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/46 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
在一個(gè)實(shí)施方式的成膜裝置中,旋轉(zhuǎn)臺(tái)與旋轉(zhuǎn)軸連接。旋轉(zhuǎn)臺(tái)收容于基座的內(nèi)部空間中。旋轉(zhuǎn)臺(tái)在相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線沿周向排列的多個(gè)載置區(qū)域中保持被加工物,并且使該被加工物繞中心軸線旋轉(zhuǎn)。在基座內(nèi)從旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外側(cè)起形成沿著與中心軸線正交的一個(gè)方向的氣體的流動(dòng)。基座被加熱機(jī)構(gòu)加熱。基座的與旋轉(zhuǎn)臺(tái)的下表面相面對(duì)的一個(gè)壁部包括由比中心軸線與多個(gè)載置區(qū)域的各個(gè)載置區(qū)域之間的最小距離大的第一圓和比中心軸線與多個(gè)載置區(qū)域的各個(gè)載置區(qū)域之間的最大距離小的第二圓規(guī)定出的中間區(qū)域,并且在該中間區(qū)域中形成有一個(gè)以上的貫通孔。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)中的實(shí)施方式涉及一種成膜裝置。
背景技術(shù)
近年來(lái),在半導(dǎo)體功率器件這樣的電子元件中使用碳化矽(SiC)。在這樣的電子元件的制造中執(zhí)行通過(guò)外延生長(zhǎng)在SiC基板上形成SiC膜的處理。
在上述的處理中有時(shí)使用生產(chǎn)率相比于單片式的成膜裝置優(yōu)異的半批量式的成膜裝置。關(guān)于半批量式的成膜裝置,例如在下述的專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中有所記載。
專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2所記載的成膜裝置具備旋轉(zhuǎn)軸、旋轉(zhuǎn)臺(tái)、基座、容器、氣體供給機(jī)構(gòu)以及感應(yīng)加熱機(jī)構(gòu)。旋轉(zhuǎn)臺(tái)設(shè)置于旋轉(zhuǎn)軸上,被該旋轉(zhuǎn)軸支承。旋轉(zhuǎn)臺(tái)提供多個(gè)載置區(qū)域。多個(gè)載置區(qū)域?yàn)樵谄渖陷d置多個(gè)被加工物的區(qū)域,并且相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線沿周向排列。此外,多個(gè)被加工物如晶圓那樣具有圓板形狀。基座具有方筒形狀,并且在其內(nèi)部空間中收容旋轉(zhuǎn)臺(tái)。容器收容基座。氣體供給機(jī)構(gòu)構(gòu)成為從旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外側(cè)起沿著與旋轉(zhuǎn)軸正交的方向形成氣體的流動(dòng)。感應(yīng)加熱機(jī)構(gòu)設(shè)置于容器的外側(cè),并且具有卷繞于該容器的外周的線圈。基座通過(guò)感應(yīng)加熱而被加熱。
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008-159944號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2012-178613號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
在SiC膜的外延生長(zhǎng)中,以將p型或n型的雜質(zhì)引入該SiC膜中的方式進(jìn)行成膜。尤其在p型中,關(guān)于引入SiC膜中的雜質(zhì)的濃度,在被加工物的面內(nèi)的溫度低的區(qū)域中濃度高,在溫度高的區(qū)域中濃度低。因而,為了抑制雜質(zhì)的濃度在面內(nèi)中的偏差,需要減小成膜時(shí)的被加工物的面內(nèi)的溫度的偏差。然而,從使被加工物的溫度的偏差減小的觀點(diǎn)出發(fā),期望上述的以往的半批量(semi-batch)式的成膜裝置進(jìn)一步被改良。
在一個(gè)方式中,提供一種半批量式的成膜裝置。該成膜裝置具備旋轉(zhuǎn)軸、旋轉(zhuǎn)臺(tái)、基座、氣體供給機(jī)構(gòu)、容器以及加熱機(jī)構(gòu)。旋轉(zhuǎn)臺(tái)設(shè)置于旋轉(zhuǎn)軸上,并且固定于旋轉(zhuǎn)軸。旋轉(zhuǎn)臺(tái)構(gòu)成為在相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線沿周向排列的多個(gè)載置區(qū)域中保持多個(gè)被加工物。多個(gè)載置區(qū)域構(gòu)成為相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線沿周向排列并且保持多個(gè)被加工物。在一個(gè)實(shí)施方式中,被加工物具有圓盤形狀,多個(gè)載置區(qū)域的各個(gè)載置區(qū)域能夠具有與被加工物的形狀對(duì)應(yīng)的圓形形狀。基座構(gòu)成為:提供沿著與平行于中心軸線的第一方向正交的第二方向彼此相對(duì)的第一開(kāi)口和第二開(kāi)口,并且在該第一開(kāi)口與該第二開(kāi)口之間提供內(nèi)部空間,將旋轉(zhuǎn)臺(tái)收容于內(nèi)部空間中。氣體供給機(jī)構(gòu)構(gòu)成為形成從第一開(kāi)口經(jīng)由內(nèi)部空間朝向第二開(kāi)口的氣體的流動(dòng)。容器收容基座。加熱機(jī)構(gòu)構(gòu)成為設(shè)置于容器的周圍,并且對(duì)基座進(jìn)行加熱。
在一個(gè)方式所涉及的成膜裝置中,基座包括彼此相對(duì)的第一壁部和第二壁部。旋轉(zhuǎn)臺(tái)設(shè)置于第一壁部與第二壁部之間。第一壁部與多個(gè)載置區(qū)域相面對(duì)。在第二壁部形成有供旋轉(zhuǎn)軸通過(guò)的第一貫通孔。第二壁部包括由相對(duì)于中心軸線具有第一半徑的第一圓和相對(duì)于中心軸線具有比第一半徑大的第二半徑的第二圓規(guī)定出的中間區(qū)域。第一半徑比中心軸線與多個(gè)載置區(qū)域的各個(gè)載置區(qū)域之間的最小距離大,第二半徑比中心軸線與多個(gè)載置區(qū)域的各個(gè)載置區(qū)域之間的最大距離小。在中間區(qū)域形成有一個(gè)以上的第二貫通孔。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780028371.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





