[發(fā)明專利]成膜裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780028371.2 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN109075040B | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 原島正幸;小林洋克 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/46 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種成膜裝置,具備:
旋轉(zhuǎn)軸;
旋轉(zhuǎn)臺,其設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)軸上,并且固定于該旋轉(zhuǎn)軸,所述旋轉(zhuǎn)臺構(gòu)成為在相對于所述旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線沿周向排列的多個載置區(qū)域中保持多個被加工物;
基座,其構(gòu)成為:提供沿著與平行于所述中心軸線的第一方向正交的第二方向來彼此相對的第一開口和第二開口,并且在該第一開口與該第二開口之間提供內(nèi)部空間,將所述旋轉(zhuǎn)臺收容于該內(nèi)部空間中;
氣體供給機(jī)構(gòu),其構(gòu)成為形成從所述第一開口經(jīng)由所述內(nèi)部空間朝向所述第二開口的氣體的流動;
容器,其收容所述基座;以及
加熱機(jī)構(gòu),其構(gòu)成為設(shè)置于所述容器的周圍,并且對所述基座進(jìn)行加熱,
其中,所述基座包括彼此相對的第一壁部和第二壁部,
所述旋轉(zhuǎn)臺設(shè)置于所述第一壁部與所述第二壁部之間,
所述第一壁部與所述多個載置區(qū)域相面對,
在所述第二壁部形成有供所述旋轉(zhuǎn)軸通過的第一貫通孔,
所述第二壁部包括由相對于所述中心軸線具有第一半徑的第一圓和相對于該中心軸線具有比該第一半徑大的第二半徑的第二圓規(guī)定出的中間區(qū)域,該第一半徑比所述中心軸線與所述多個載置區(qū)域的各個載置區(qū)域之間的最小距離大,該第二半徑比所述中心軸線與所述多個載置區(qū)域的各個載置區(qū)域之間的最大距離小,
在所述中間區(qū)域形成有一個以上的第二貫通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
所述加熱機(jī)構(gòu)是具有卷繞于所述容器的外周的線圈的感應(yīng)加熱機(jī)構(gòu),
所述第二壁部還包括在所述中間區(qū)域的外側(cè)延伸的外側(cè)區(qū)域和在該中間區(qū)域的內(nèi)側(cè)延伸的內(nèi)側(cè)區(qū)域,
所述中間區(qū)域包括連接部,該連接部沿著與所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向延伸,并且將所述外側(cè)區(qū)域與所述內(nèi)側(cè)區(qū)域連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,
所述一個以上的第二貫通孔具有與所述周向一致的長邊方向,并且沿著所述第一圓和所述第二圓延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,
所述成膜裝置包括以覆蓋所述基座的方式設(shè)置于所述容器與所述基座之間的絕熱材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,
所述成膜裝置還具備搭載于所述旋轉(zhuǎn)臺上的保持件,
所述保持件提供所述多個載置區(qū)域。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





