[發明專利]薄膜制造裝置、薄膜制造方法有效
| 申請號: | 201780028113.4 | 申請日: | 2017-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN109154071B | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發明(設計)人: | 木村孔 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛發科 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/34 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美紅;劉林華 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 制造 裝置 方法 | ||
提供一種能夠將膜厚傳感器長期間使用的技術。使成膜材料(37)的微粒子從成膜源(12)放出,使薄膜在成膜對象物(15)和膜厚傳感器(31)上成長,由膜厚傳感器(31)求出薄膜的測量成長速度,將測量成長速度與預先設定的基準速度比較,當使電力變化而使測量成長速度接近于基準速度時,使膜厚傳感器(31)與放出部(38)之間的閘門(35)開閉,使微粒子到達膜厚傳感器(31)的時間變短。在膜厚傳感器(31)上成長的薄膜的膜厚比不使閘門(35)開閉的情況薄,所以膜厚傳感器(31)的壽命變長。
技術領域
本發明涉及形成薄膜的技術,特別是提供檢測薄膜的成長速度的膜厚傳感器的可使用期間較長的薄膜制造裝置和薄膜制造方法。
背景技術
圖3的附圖標記100是以往技術的薄膜制造裝置,具有真空槽113。在真空槽113的內部配置有蒸發源112。
蒸發源112具有蒸發容器133,被運入到真空槽113的內部的成膜對象基板115經過蒸發容器133的上方位置或被配置到蒸發容器133的上方位置。
蒸發容器133是中空的,在蒸發容器133的中空的內部,配置有由粉體狀的有機化合物構成的有機材料137。
在蒸發容器133處設置有加熱裝置134,加熱裝置134被連接在成膜電源145上。
由真空排氣裝置139將真空槽113的內部進行真空排氣而形成真空環境,由成膜電源145對加熱裝置134通電而使其發熱,發熱的加熱裝置134將蒸發容器133加熱而使其升溫,配置在蒸發容器133的內部的有機材料137被升溫后的蒸發容器133加熱。
如果有機材料137被升溫到蒸發溫度以上,則蒸發(包括升華),大量的有機材料137的蒸氣被放出到蒸發容器133的內部。
在蒸發容器133的與成膜對象基板115面對的位置設置有放出孔138,產生的蒸氣被從放出孔138向真空槽113的內部放出,如果到達成膜對象基板115的表面,則在到達的部分處有機材料137的薄膜成長。
在該薄膜制造裝置100中,在真空槽113的外部,配置有控制有機材料137的薄膜的成長速度的成長速度控制電路114。
如果說明成長速度控制電路114控制成長速度的次序,則在真空槽113的內部設置有膜厚傳感器131,膜厚傳感器131被連接在設置于成長速度控制電路114內的成長速度測量器141上。
膜厚傳感器131被配置在成膜對象基板115的側方位置,從蒸發源112放出的有機材料137的蒸氣到達成膜對象基板115和膜厚傳感器131,在成膜對象基板115和膜厚傳感器131上使薄膜成長,將膜厚傳感器131檢測出的膜厚作為表示膜厚的信號向成長速度測量器141輸出,由成長速度測量器141求出膜厚的成長速度,將表示成長速度的信號作為測量信號向速度偏差檢測器142輸出。
預先求出在成膜對象基板115的表面上成長的薄膜的期望的成長速度,轉換為膜厚傳感器131的表面的成長速度,作為基準值存儲在存儲裝置143中,從存儲裝置143輸出表示基準值的基準信號,向速度偏差檢測器142輸入。
在速度偏差檢測器142中,求出被輸入的基準信號表示的值與被輸入的測量信號表示的值的大小關系以及差的值,將作為帶有表示正負的符號的差的值的表示偏差的偏差信號從速度偏差檢測器142向成膜電源145輸出。
在被輸入到成膜電源145中的偏差信號表示出測量信號表示的成長速度的值比基準信號表示的成長速度的值大的情況下,成膜電源145使向加熱裝置134輸出的電流減小,使蒸發源112的內部的有機材料137的蒸氣產生量減小,使得成膜對象基板115和膜厚傳感器131的成長速度的值變小。
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