[發明專利]薄膜制造裝置、薄膜制造方法

有效

• 申請號: 201780028113.4
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN109154071B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 木村孔
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱美紅;劉林華

1.一種薄膜制造裝置，具有：

真空槽；

成膜源，配置有成膜材料；

主控制裝置，向前述成膜源供給電力，將配置于前述成膜源的前述成膜材料加熱而使蒸氣從前述成膜材料放出，使前述蒸氣的微粒子從前述成膜源的放出部向前述真空槽的內部放出；以及

膜厚傳感器，被配置在前述微粒子到達而薄膜成長的位置，并輸出表示在表面上形成的前述薄膜的膜厚的內容的膜厚信號；

前述主控制裝置基于前述膜厚傳感器輸出的前述膜厚信號，使向前述成膜源供給的電力的大小變化而使前述成膜源的放出速度變化，使薄膜以期望的成長速度在成膜對象物表面上成長；

所述薄膜制造裝置的特征在于，

在前述真空槽內配置有閘門；

由主控制裝置將前述閘門移動；

前述閘門被交替地反復切換為遮蔽狀態和到達狀態，在所述遮蔽狀態下，前述閘門位于前述膜厚傳感器與前述放出部之間，將前述微粒子向前述膜厚傳感器的到達遮蔽，在所述到達狀態下，前述閘門從前述膜厚傳感器與前述放出部之間的位置向其他部位移動，使前述微粒子向前述膜厚傳感器到達；

一個到達期間和鄰接于該到達期間的一個遮蔽期間的合計時間即一周期被設定為一定時間，向前述成膜源供給的電力在前述一周期中被變更一次。

2.如權利要求1所述的薄膜制造裝置，其特征在于，

在前述閘門維持前述到達狀態的到達期間中測量形成在前述膜厚傳感器上的薄膜的膜厚。

3.如權利要求1所述的薄膜制造裝置，其特征在于，

根據測量出的前述膜厚求出前述膜厚傳感器上的測量成長速度，將向前述成膜源供給的電力的大小變更。

4.一種薄膜制造方法，將真空槽的內部設為真空環境，向配置在前述真空槽的內部的成膜源供給電力，將成膜材料加熱而使蒸氣從前述成膜材料放出，使前述蒸氣的微粒子從前述成膜源的放出部放出，使前述微粒子到達位于前述真空環境中的成膜對象物和膜厚傳感器，基于在前述膜厚傳感器上成長的薄膜的成長速度，使前述電力的大小變化，使測量成長速度接近于基準速度，

所述薄膜制造方法的特征在于，

在前述真空槽的內部設置閘門；

在前述微粒子到達前述成膜對象物的期間中使前述閘門開閉，交替地反復切換為遮蔽狀態和到達狀態，在所述遮蔽狀態下，使前述閘門位于前述膜厚傳感器與前述放出部之間，前述微粒子不到達前述膜厚傳感器，在所述到達狀態下，使前述閘門從前述膜厚傳感器與前述放出部之間移動，前述微粒子到達前述膜厚傳感器；

將一個到達期間和鄰接于該到達期間的一個遮蔽期間的合計時間即一周期設定為一定時間，將向前述成膜源供給的電力在前述一周期中變更一次。

5.如權利要求4所述的薄膜制造方法，其特征在于，

在前述閘門維持前述到達狀態的到達期間的每個中求出前述測量成長速度，將向前述成膜源供給的電力的大小變更。