[發明專利]包含特定交聯劑的保護膜形成用組合物及使用了該組合物的圖案形成方法

有效

• 申請號: 201780026762.0
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN109073978B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 大橋智也;緒方裕斗;橋本雄人;臼井友輝;境田康志;岸岡高廣
• 申請（專利權）人: 日產化學株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;G03F7/26;H01L21/306
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;孫麗梅

1.一種對堿性過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，其包含：

1分子中具有2個以上選自縮水甘油基、末端環氧基、環氧環戊基、環氧環己基、氧雜環丁烷基、乙烯基醚基、異氰酸酯基和封閉異氰酸酯基中的至少1種基團的交聯劑，

側鏈或末端具有下述式(1)所示的基團且重均分子量為800以上的化合物，以及

有機溶劑；

式中，X¹表示與所述交聯劑反應的取代基，R⁰表示直接結合或碳原子數1或2的亞烷基，X²表示碳原子數1或2的烷基、碳原子數1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整數，b表示1～3的整數，當b表示2或3時、-R⁰-X¹所示的基團可以彼此不同，c表示0～4的整數，當c表示2、3或4時、X²所示的基團可以彼此不同，b與c滿足1≤(b+c)≤5的關系式，

與所述交聯劑反應的取代基X¹為下述式(3)、式(4)、式(5)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)或式(11)所示的基團，

式中，R²表示碳原子數1～8的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，R³表示氫原子或碳原子數1～8的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烴基，e表示0或1，

所述交聯劑的添加量為：在將所述重均分子量為800以上的化合物中的與所述交聯劑反應的全部取代基X¹設為100摩爾％時，能夠將該取代基X¹密封20摩爾％～150摩爾％的量。

2.根據權利要求1所述的對堿性過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，與所述交聯劑反應的取代基X¹為所述式(3)或式(5)所示的基團。

3.根據權利要求1所述的對堿性過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，所述交聯劑在1分子中具有2個以上縮水甘油基、末端環氧基或環氧環己基。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的對堿性過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，所述封閉異氰酸酯基為下述式(11)或式(12)所示的基團，

式中，R⁴和R⁵各自獨立地表示碳原子數1～5的烷基，R⁶表示碳原子數1～5的烷基，d表示1～3的整數，當d表示2或3時、R⁶所示的碳原子數1～5的烷基可以彼此不同。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的對堿性過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，其還包含交聯催化劑。

6.根據權利要求1～3中任一項所述的對堿性過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，其還包含表面活性劑。

7.一種圖案形成方法，其中，使用權利要求1～6中任一項所述的對堿性過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物在表面可以形成無機膜的半導體基板上形成保護膜，在所述保護膜上形成抗蝕劑圖案，以所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述保護膜進行干蝕刻，從而使所述無機膜或所述半導體基板的表面露出，以干蝕刻后的所述保護膜作為掩模，使用堿性過氧化氫水溶液對所述無機膜或所述半導體基板進行濕蝕刻和洗滌。