[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780025729.6
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN109075263B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 李洪宰;金宗煥;沈愚泌;李愚嗔;尹星然;李敦熙
• 申請（專利權）人: TES股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L21/02;H01L51/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，包含如下工序：

于基板的發(fā)光二極管的上部沉積第一無機保護膜的工序；以及

將內部應力比所述第一無機保護膜相對小的第二無機保護膜沉積于所述第一無機保護膜的上部的工序，

其中沉積所述第一無機保護膜的工序與沉積所述第二無機保護膜的工序使用相同的原料氣體于一個腔室連續(xù)執(zhí)行，且執(zhí)行時使用不同的反應氣體，以原子層沉積法沉積氧化鋁膜。

2.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，其中沉積所述第一無機保護膜的工序將含有鋁的化合物當作原料氣體提供并提供N₂O作為反應氣體，且沉積所述第二無機保護膜的工序將含有鋁的化合物當作原料氣體提供并提供O₂作為反應氣體。

3.根據權利要求2所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，其中所述第二無機保護膜的厚度大于所述第一無機保護膜的厚度。

4.根據權利要求2所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，通過反復執(zhí)行沉積所述第一無機保護膜的工序與沉積所述第二無機保護膜的工序，而沉積多層保護膜。

5.根據權利要求4所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，其中反復執(zhí)行沉積所述第一無機保護膜的工序與沉積所述第二無機保護膜的工序時，以于所述發(fā)光二極管越朝向上部，內部應力越相對減小的方式沉積。

6.根據權利要求5所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，其中于所述發(fā)光二極管越朝向上部，等離子體力量及反應氣體供應量越相對增加。

7.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，還包含于所述第二無機保護膜的上部沉積緩沖層的工序。

8.根據權利要求7所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，其中所述緩沖層的內部應力比所述第二無機保護膜的內部應力相對小。

9.根據權利要求8所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，其中所述緩沖層由通過等離子體增強化學氣相沉積而沉積的含有碳的硅氧化物所構成。

10.根據權利要求9所述的發(fā)光二極管的保護膜的沉積方法，其中所述緩沖層由選自由六甲基二硅氧烷，四甲基二硅氧烷，六乙基二硅氧烷，六氯乙硅烷，雙(二乙基氨基)硅烷所構成的有機前體物族群中任一者沉積。