[發(fā)明專利]用于排放沉積移除的溫度控制遠(yuǎn)端等離子清洗

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780025125.1
• 申請日: 2017-04-04
• 公開（公告）號: CN109069990B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬丁·A·希爾金;戴維·K·卡爾森;馬修·D·斯科特奈伊卡斯?fàn)?/a>
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: B01D53/32
• 分類號: B01D53/32
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本公開案的實施例一般是關(guān)于用于清洗排放系統(tǒng)，例如與用于形成外延硅的處理腔室一起使用的排放系統(tǒng)的方法及設(shè)備。排放系統(tǒng)包含用于供應(yīng)離子化氣體穿過排放系統(tǒng)的遠(yuǎn)端等離子來源，及置于遠(yuǎn)端等離子來源下游的一或更多個溫度感測器。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開案的各方面一般是關(guān)于用于清洗排放系統(tǒng)的方法及設(shè)備，例如用于形成外延硅的處理腔室的排放系統(tǒng)。

背景技術(shù)

外延硅使用含硅前驅(qū)物氣體在處理腔室中沉積。在處理腔室中預(yù)先決定數(shù)量的沉積周期之后，使用含氯氣體清洗處理腔室。來自含氯氣體的氯自由基與硅反應(yīng)以形成氯硅烷，氯硅烷自處理腔室排放。氯硅烷為沉積于排放系統(tǒng)的內(nèi)表面上的可燃材料，且須周期性地移除。依據(jù)所需移除程度，移除氯硅烷的清洗時間可在自半天長至一個月的范圍中。此外，氯硅烷可在排放系統(tǒng)拆卸后于大氣環(huán)境中與氧反應(yīng)，因而形成氯代硅氧烷(chlorosiloxane)，氯代硅氧烷具有接觸可爆炸性。由于操作人員采取的額外預(yù)防措施，氯代硅氧烷的形成進(jìn)一步延長用于清洗及維持所需時間。

因此，需要用于清洗排放系統(tǒng)的改良的方法及設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容

在一個方面中，處理系統(tǒng)包括：處理腔室；及排放系統(tǒng)，該排放系統(tǒng)耦合至該處理腔室。該排放系統(tǒng)包括：遠(yuǎn)端等離子來源，該遠(yuǎn)端等離子來源用于供應(yīng)離子化清洗氣體至該處理腔室下游的該排放系統(tǒng)；及一或更多個感測器，該一或更多個感測器用于量測該排放系統(tǒng)的一或更多個位置處的該排放系統(tǒng)的溫度。

在另一方面中，處理系統(tǒng)包括：處理腔室；及排放系統(tǒng)，該排放系統(tǒng)耦合至該處理腔室。該排放系統(tǒng)包括：遠(yuǎn)端等離子來源，該遠(yuǎn)端等離子來源用于供應(yīng)離子化清洗氣體至該處理腔室下游的該排放系統(tǒng)；一或更多個感測器，該一或更多個感測器位于該遠(yuǎn)端等離子來源的下游，用于量測該排放系統(tǒng)的一或更多個位置處的該排放系統(tǒng)的溫度；及終點(diǎn)偵測系統(tǒng)，該終點(diǎn)偵測系統(tǒng)位于該一或更多個感測器的下游；及真空泵，該真空泵位于該終點(diǎn)偵測系統(tǒng)的下游。

在另一實施例中，用于清洗排放系統(tǒng)的工藝包括以下步驟：將一或更多個離子化氣體導(dǎo)入處理腔室下游的排放系統(tǒng)；監(jiān)視該排放系統(tǒng)內(nèi)的溫度；及基于所監(jiān)視的該溫度，調(diào)整該一或更多個離子化氣體的流動率。

附圖說明

于是可以詳細(xì)理解本公開案上述特征中的方式，可藉由參考各方面而具有本公開案的更特定描述(簡短總結(jié)如上)，其中一些圖示于所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖示示范方面，因此不考慮限制其范圍，因為本公開案可允許其他等效方面。

圖1為根據(jù)本公開案的一個方面的處理系統(tǒng)100的示意圖示。

圖2為圖示清洗周期期間的排放系統(tǒng)的溫度回應(yīng)的圖形。

圖3圖示根據(jù)于此描述的方面在清洗之后排放系統(tǒng)的分區(qū)的內(nèi)視圖。

為了便于理解，盡可能使用相同元件符號，以標(biāo)示圖式中共用的相同元件。設(shè)想一個方面的元件及特征可有利地并入其他方面，而無須進(jìn)一步敘述。

具體實施方式

本公開案的各方面一般相關(guān)于用于清洗排放系統(tǒng)，例如與用于形成外延硅的處理腔室一起使用的排放系統(tǒng)的方法及設(shè)備。排放系統(tǒng)包含用于供應(yīng)離子化氣體穿過排放系統(tǒng)的遠(yuǎn)端等離子來源，及置于遠(yuǎn)端等離子來源下游的一或更多個溫度感測器。注意設(shè)想于此描述的方法及設(shè)備的使用以用于其他工藝，例如蝕刻、或外延硅之外的材料沉積。

圖1為根據(jù)本公開案的一個方面的處理系統(tǒng)100的示意圖示。處理系統(tǒng)100包含耦合至排放系統(tǒng)102的處理腔室101(例如外延沉積反應(yīng)器)。排放系統(tǒng)102在排放系統(tǒng)102的下游端耦合至真空泵103，以便于排放物流動至位于排放系統(tǒng)102下游的洗滌器122。排放系統(tǒng)102可包含經(jīng)由伸縮軟管105耦合至排放系統(tǒng)102的終點(diǎn)偵測系統(tǒng)104。排放系統(tǒng)102及伸縮軟管105可設(shè)置于真空泵103的上游以便于清洗操作的終點(diǎn)的確定。