[發明專利]用于排放沉積移除的溫度控制遠端等離子清洗

有效

• 申請號: 201780025125.1
• 申請日: 2017-04-04
• 公開（公告）號: CN109069990B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 馬丁·A·希爾金;戴維·K·卡爾森;馬修·D·斯科特奈伊卡斯爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: B01D53/32
• 分類號: B01D53/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種處理系統，包括：

處理腔室；

排放系統，所述排放系統耦合至所述處理腔室；

遠端等離子來源，所述遠端等離子來源用于供應離子化清洗氣體至所述處理腔室下游的所述排放系統；

一或更多個感測器，所述一或更多個感測器用于量測所述排放系統的一或更多個位置處的所述排放系統的溫度；

控制器，所述控制器接收來自所述一或更多個感測器的溫度數據，當所述控制器確定所述排放系統中的溫度高于預先決定的限制時，所述控制器減少離開所述遠端等離子來源的所述離子化清洗氣體的流動率；

第一隔絕閥，所述第一隔絕閥位于所述一或更多個感測器的上游及所述處理腔室的下游；

第二隔絕閥，所述第二隔絕閥位于所述一或更多個感測器的上游及所述遠端等離子來源的下游；和

壓力控制閥，所述壓力控制閥位于所述第一隔絕閥及所述第二隔絕閥的下游，其中所述壓力控制閥位于所述一或更多個感測器的其中至少一個感測器的下游及所述一或更多個感測器的其中至少另一感測器的上游，

其中所述一或更多個感測器位于所述遠端等離子來源的下游。

2.如權利要求1所述的處理系統，進一步包括：

終點偵測系統，所述終點偵測系統位于所述一或更多個感測器的下游；和

真空泵，所述真空泵位于所述終點偵測系統的下游。

3.如權利要求1所述的處理系統，其中所述一或更多個感測器的子集合耦合至排放線中的T形接頭。

4.一種處理系統，包括：

處理腔室；

排放系統，所述排放系統耦合至所述處理腔室；

遠端等離子來源，所述遠端等離子來源用于供應離子化清洗氣體至所述處理腔室下游的所述排放系統；

一或更多個感測器，所述一或更多個感測器位于所述遠端等離子來源的下游，用于量測所述排放系統的一或更多個位置處的所述排放系統的溫度；

控制器，所述控制器接收來自所述一或更多個感測器的溫度數據，當所述控制器確定所述排放系統中的溫度高于預先決定的限制時，所述控制器減少離開所述遠端等離子來源的所述離子化清洗氣體的流動率；

終點偵測系統，所述終點偵測系統位于所述一或更多個感測器的下游；

真空泵，所述真空泵位于所述終點偵測系統的下游；

第一隔絕閥，所述第一隔絕閥位于所述一或更多個感測器的上游及所述處理腔室的下游；

第二隔絕閥，所述第二隔絕閥位于所述一或更多個感測器的上游及所述遠端等離子來源的下游；和

壓力控制閥，所述壓力控制閥位于所述第一隔絕閥及所述第二隔絕閥的下游，

其中所述壓力控制閥位于所述一或更多個感測器的其中至少一個感測器的下游及所述一或更多個感測器的其中至少另一感測器的上游。

5.如權利要求4所述的處理系統，其中所述一或更多個感測器的子集合耦合至排放線中的T形接頭。

6.一種使用如權利要求1所述的處理系統來清洗排放系統的工藝，包括以下步驟：

將一或更多個離子化氣體導入處理腔室下游的所述排放系統；

監視所述排放系統內的溫度；及

當所監視的所述溫度高于預先決定的限制時，減少所述一或更多個離子化氣體的流動率。

7.如權利要求6所述的工藝，其中所述一或更多個離子化氣體由遠端等離子來源所產生，其中所述一或更多個離子化氣體以脈沖流動導入所述排放系統。

8.如權利要求6所述的工藝，其中每一感測器經程式化以不同的溫度限制傳遞訊號至所述控制器。

9.如權利要求6所述的工藝，其中每一感測器經程式化以多個溫度限制偵測和傳遞訊號至所述控制器。