[發(fā)明專利]用于防止空間ALD處理腔室中的背側(cè)沉積的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780024476.0
• 申請(qǐng)日: 2017-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN109072433B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·約德伏斯基;A·S·波利亞克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): C23C16/458
• 分類號(hào): C23C16/458;C23C16/455;C23C16/44
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

描述了一種包含具有支撐柱的基座的基座組件。所述基座具有主體，所述主體具有頂表面與底表面。所述頂表面具有多個(gè)凹部。所述支撐柱連接至所述基座的底表面，以旋轉(zhuǎn)所述基座組件。所述支撐柱包括支撐柱真空氣室，所述支撐柱真空氣室與所述基座的主體中的基座真空氣室流體連通。所述支撐柱還包括凈化氣體管線，所述凈化氣體管線通過支撐柱延伸至所述基座的主體中的凈化氣體氣室。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開大體涉及防止背側(cè)沉積的裝置與方法。更具體地，本公開涉及用于防止空間原子層沉積處理腔室中的基板的背側(cè)上沉積的裝置與方法。

背景技術(shù)

在空間原子層沉積(ALD)處理中，沉積氣體可以接觸基板的背面，從而導(dǎo)致背側(cè)沉積。背側(cè)沉積可能是使用多晶片基座布置的批處理腔室中的問題。當(dāng)前批處理系統(tǒng)具有圍繞晶片的外邊緣多達(dá)30毫米幅度的背側(cè)沉積。因此，在本領(lǐng)域中需要用于防止批處理腔室中的背側(cè)沉積的裝置與方法。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例針對(duì)包含具有支撐柱的基座的基座組件。基座具有主體，主體具有頂表面與底表面。頂表面中具有多個(gè)凹部。支撐柱連接至基座的底表面，以旋轉(zhuǎn)基座組件。支撐柱包括支撐柱真空氣室，支撐柱真空氣室與基座的主體中的基座真空氣室流體連通。支撐柱還包括凈化氣體管線，凈化氣體管線通過支撐柱延伸至基座的主體中的凈化氣體氣室。

本公開的附加實(shí)施例針對(duì)包括基座的基座組件，基座具有主體，主體具有頂表面和底表面。頂表面中具有多個(gè)凹部。每個(gè)凹部在凹部的外周邊區(qū)域內(nèi)具有凈化環(huán)，從而形成環(huán)形腔。支撐柱連接到基座的底表面以旋轉(zhuǎn)基座組件。支撐柱包括：與基座的主體中的基座真空氣室流體連通的支撐柱真空氣室；凈化氣體管線，通過支撐柱延伸到基座的主體中的凈化氣體氣室；主體內(nèi)的多個(gè)徑向凈化氣體饋送通道，其中兩個(gè)徑向凈化氣體饋送通道與凈化氣體氣室和每個(gè)凹部的環(huán)形腔流體連通；以及多個(gè)徑向真空饋送通道，其中，徑向真空饋送通道與基座真空氣室以及每個(gè)凹部流體連通。

本公開的進(jìn)一步實(shí)施例針對(duì)基座組件，基座組件包含基座，基座具有主體，主體具有頂表面和底表面。頂表面中具有多個(gè)凹部。每個(gè)凹部在凹部的外周邊區(qū)域內(nèi)具有凈化環(huán)，從而形成環(huán)形腔。支撐柱連接到基座的底表面以旋轉(zhuǎn)基座組件。支撐柱包括：支撐柱真空氣室，在所述支撐柱的頂部的中央部分中，該支撐柱真空氣室與基座的主體中的基座真空氣室流體連通；凈化氣體管線，該凈化氣體管線通過支撐柱延伸，從而在支撐柱真空氣室下方的接合部處分開成兩個(gè)上凈化氣體管線，上凈化氣體管線具有基本上相同的傳導(dǎo)率，并且與基座的主體中的凈化氣體氣室流體連通；主體內(nèi)的多個(gè)徑向凈化氣體饋送通道，其中，兩個(gè)徑向凈化氣體饋送通道與凈化氣體氣室以及凹部中的每一個(gè)的環(huán)形腔流體連通，徑向凈化氣體饋送通道中的每一個(gè)具有基本上相同傳導(dǎo)率的不同尺寸的兩個(gè)孔洞；多個(gè)徑向凈化氣體饋送通道，其中一個(gè)徑向真空饋送通道與基座真空氣室以及每個(gè)凹部流體連通，徑向真空饋送通道的每一個(gè)與凹部中的多個(gè)孔隙流體連通；每個(gè)凹部中的凈化環(huán)，凈化環(huán)包含第一壓縮間隙與第二壓縮間隙，第一壓縮間隙形成第一環(huán)狀氣室，以增加第一環(huán)狀氣室中的壓力均勻性，第二壓縮間隙形成第二環(huán)狀氣室，以定義離開第二環(huán)狀氣室的氣體的環(huán)隙流速。

附圖說明

為了可以詳細(xì)理解本公開的上述特征的方式可參照實(shí)施例得到以上簡(jiǎn)要概括的本公開的更具體的描述，這些實(shí)施例中的一些在附圖中示出。然而，應(yīng)注意附圖僅示出本公開的典型實(shí)施例，并且因此不被視為限定本公開的保護(hù)范圍，本公開可允許其他等效實(shí)施例。

圖1示出根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的批處理腔室的橫截面圖；

圖2示出根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的批處理腔室的局部透視圖；

圖3示出根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的批處理腔室的示意圖；

圖4示出根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的用于批處理腔室中的楔形氣體分配組件的一部分的示意圖；

圖5示出根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的批處理腔室的示意圖；