[發明專利]用于防止空間ALD處理腔室中的背側沉積的裝置

有效

• 申請號: 201780024476.0
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN109072433B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: J·約德伏斯基;A·S·波利亞克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/455;C23C16/44
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種基座組件，包含：

基座，具有主體，所述主體具有頂表面與底表面，所述頂表面中具有多個凹部；以及

支撐柱，連接至所述基座的所述底表面，以旋轉所述基座組件，所述支撐柱包括：

支撐柱真空氣室，所述支撐柱真空氣室與所述基座的所述主體中的基座真空氣室流體連通，以及

凈化氣體管線，所述凈化氣體管線通過所述支撐柱延伸至所述基座的所述主體中的凈化氣體氣室，其中，延伸通過所述支撐柱的所述凈化氣體管線在接合部處分開成多個上凈化氣體管線。

2.如權利要求1所述的基座組件，其中，所述多個上凈化氣體管線中的每一個具有基本上相等的傳導率。

3.如權利要求2所述的基座組件，其中，所述支撐柱真空氣室位于所述支撐柱的頂部的中央部分中。

4.如權利要求3所述的基座組件，其中，所述多個上凈化氣體管線中的每一個從所述支撐柱真空氣室下方的接合部圍繞所述支撐柱真空氣室延伸至所述基座的所述主體。

5.如權利要求1所述的基座組件，進一步包含所述基座的所述主體中的多個徑向凈化氣體饋送通道，所述徑向凈化氣體饋送通道與所述凈化氣體氣室流體連通。

6.如權利要求5所述的基座組件，其中，存在至少兩個徑向凈化氣體饋送通道，所述至少兩個徑向凈化氣體饋送通道與所述凹部中的每一個流體連通。

7.如權利要求6所述的基座組件，其中，存在兩個徑向凈化氣體饋送通道，所述至少兩個徑向凈化氣體饋送通道與每個凹部流體連通，所述兩個徑向凈化氣體饋送通道偏離中心地連接至所述凹部。

8.如權利要求7所述的基座組件，其中，所述徑向凈化氣體饋送通道中的每一個連接至所述凹部的具有兩個孔洞的環形氣室。

9.如權利要求8所述的基座組件，其中，所述兩個孔洞中的每一個具有不同的尺寸，以具有流入所述凹部的所述環形氣室中的凈化氣體的相等傳導率。

10.如權利要求1所述的基座組件，進一步包含多個徑向真空饋送通道，所述徑向真空饋送通道與所述基座真空氣室流體連通。

11.如權利要求10所述的基座組件，其中每個凹部中存在一個徑向真空饋送通道。

12.如權利要求11所述的基座組件，其中，所述徑向真空饋送通道與所述凹部中的多個孔隙流體連通。

13.如權利要求1所述的基座組件，進一步包含在每個凹部中的凈化環。

14.如權利要求13所述的基座組件，其中，所述凈化環包含第一壓縮間隙，所述第一壓縮間隙形成第一環狀氣室，以增加所述第一環狀氣室中的壓力均勻性。

15.如權利要求14所述的基座組件，其中，所述第一壓縮間隙為400μm。

16.如權利要求15所述的基座組件，其中，所述凈化環進一步包含第二壓縮間隙，所述第二壓縮間隙形成第二環狀氣室，以定義離開所述第二環狀氣室的氣體的環隙流速。

17.如權利要求16所述的基座組件，其中，所述第二壓縮間隙為200μm。